类型：双二极管阵列
　　配置：共阴极
　　封装：SOD-323 (SC-76)
　　最大重复反向电压（VRRM）：30V
　　最大直流反向电压（VR）：30V
　　平均整流电流（Io）：200mA
　　峰值浪涌电流（IFSM）：500mA
　　正向压降（VF）：典型值0.35V（在10mA时），最大0.55V（在100mA时）
　　反向漏电流（IR）：最大1μA（在25°C，25V下）
　　结温范围（Tj）：-55°C 至 +125°C
　　储存温度范围：-55°C 至 +150°C
　　反向恢复时间（trr）：≤ 4ns

RB481Y的核心特性之一是其采用肖特基势垒技术，这使得它相较于传统的PN结二极管具有更低的正向导通压降和更快的开关速度。由于肖特基二极管的工作原理基于金属-半导体接触而非P-N结，因此其载流子传输主要依赖多数载流子，几乎不存在少数载流子存储效应，从而显著缩短了反向恢复时间（trr），实测值可低至4纳秒以内。这一特性使其非常适合用于高频开关应用，如射频信号检波、高速逻辑门接口以及脉冲整流电路中。此外，低正向压降（典型0.35V@10mA）不仅提高了能量转换效率，还减少了器件自身的发热，有助于提升系统整体的能效表现。
　　该器件为双二极管共阴极配置，意味着两个阳极各自独立，而阴极连接在一起，这种结构特别适用于双路信号整流或差分信号处理场景。例如，在USB数据线保护电路中，可以利用两路二极管分别对D+和D-信号线进行瞬态电压抑制和ESD防护。同时，SOD-323的小型化封装使其占用PCB面积极小，非常适合空间受限的便携设备，如智能手机、蓝牙耳机、可穿戴设备等。尽管尺寸小巧，但其电气性能依然稳定可靠，能够承受一定的浪涌电流冲击（最高500mA），并在-55°C至+125°C的结温范围内保持正常工作。
　　RB481Y具备出色的反向漏电流控制能力，在室温下施加25V反向电压时，最大漏电流仅为1μA，远低于普通二极管水平，这意味着即使在待机或低功耗模式下，也不会因漏电造成明显的能耗增加。这对于电池供电设备尤为重要。此外，该器件对静电放电具有较强的耐受能力，可用于I/O端口的初级ESD保护，符合IEC 61000-4-2标准的相关要求。制造工艺上采用无铅焊接兼容设计，满足现代绿色电子产品的环保需求。总体而言，RB481Y是一款高性能、高集成度、高可靠性的表面贴装双肖特基二极管，适用于多种模拟与数字混合信号环境下的关键功能实现。

RB481Y广泛应用于各类需要高频响应与小型化设计的电子系统中。常见用途包括便携式消费类电子产品中的信号整流与ESD保护，例如智能手机、平板电脑、MP3播放器和无线耳机等设备的数据线或音频接口保护电路。在这些应用场景中，RB481Y利用其低电容特性和快速响应能力，有效抑制来自人体接触或外部电磁干扰引起的静电脉冲，防止敏感IC受损。此外，它也常用于电源管理单元中的电压钳位电路，配合其他元件实现过压保护功能。
　　在通信领域，RB481Y被用于高速数据传输线路的信号整形与隔离，尤其是在USB、HDMI、LVDS等差分信号通道中作为箝位二极管使用，确保信号完整性并防止电压漂移超出安全范围。由于其反向恢复时间极短，能在纳秒级时间内完成开关切换，因此也能胜任高频整流任务，如射频识别（RFID）标签读写器中的信号解调环节。
　　工业控制与自动化设备中，RB481Y可用于传感器信号调理电路或微控制器I/O端口的输入保护，避免因接线错误或瞬态电压导致芯片损坏。此外，在电池供电的物联网节点、无线传感网络模块中，因其低功耗特性（低VF和低IR），有助于延长设备续航时间。综上所述，RB481Y凭借其优异的电气性能和紧凑封装，已成为现代电子设计中不可或缺的基础元器件之一。

BAT54S, BAV99, PMEG2005EH, SMS7621, HSMS-2852