时间:2025/12/25 13:18:41
阅读:14
RB425D T146是一款由ROHM(罗姆)半导体公司生产的肖特基势垒二极管(Schottky Barrier Diode),采用SOD-123FL小型表面贴装封装。该器件专为高效率、低功耗应用设计,具有较低的正向导通电压和快速的反向恢复特性,适用于便携式电子设备、电源管理电路以及高频开关电源等场景。RB425D T146的额定平均整流电流为2A,最大重复峰值反向电压为40V,能够在较高的工作频率下保持良好的能效表现。由于其紧凑的封装尺寸和优异的热性能,该二极管非常适合空间受限且对散热有一定要求的应用环境。此外,该器件符合RoHS环保标准,并具备无卤素(Halogen-free)特性,满足现代电子产品对绿色环保的要求。在实际应用中,RB425D T146常用于DC-DC转换器、同步整流电路、反向电池保护、电源极性保护以及各类消费类电子产品的电源路径控制中。得益于ROHM在功率半导体领域的技术积累,该型号在可靠性、稳定性和长期工作寿命方面表现出色,是中小功率电源系统中的优选器件之一。
类型:肖特基二极管
极性:单路
最大重复峰值反向电压(VRRM):40V
最大直流阻断电压(VR):40V
最大均方根电压(VRMS):28V
最大平均整流电流(IO):2A
峰值正向浪涌电流(IFSM):50A
最大正向电压降(VF):0.52V @ 1A, 0.62V @ 2A
最大反向漏电流(IR):0.1mA @ 25°C, 10mA @ 100°C
反向恢复时间(trr):典型值5ns
工作结温范围(Tj):-55°C 至 +150°C
存储温度范围(Tstg):-55°C 至 +150°C
封装形式:SOD-123FL
安装类型:表面贴装(SMD)
引脚数:2
热阻(Rth(j-c)):约70°C/W
RB425D T146的核心优势在于其采用了先进的肖特基势垒结构,实现了极低的正向导通压降与超快的开关响应速度。其正向电压在1A电流下仅为0.52V,在2A时为0.62V,显著低于传统PN结二极管,从而大幅降低导通损耗,提升整体电源转换效率。这一特性使其特别适合用于高频率工作的DC-DC降压或升压转换器中作为续流二极管或整流元件。
该器件的反向恢复时间(trr)典型值仅为5ns,几乎不存在少数载流子存储效应,因此在高频开关过程中不会产生明显的反向恢复电流尖峰,减少了电磁干扰(EMI)并提高了系统的稳定性。同时,短的反向恢复时间也避免了与MOSFET等开关器件配对使用时可能出现的“交叉导通”问题,提升了同步整流拓扑的可靠性。
SOD-123FL封装具有非常小的体积(约2.0×1.25×1.1mm),适合高密度PCB布局,同时优化了散热路径,确保即使在2A连续电流下也能维持合理的温升。该封装还具备良好的机械强度和焊接可靠性,适用于自动化贴片生产流程。
RB425D T146的工作结温可达+150°C,表明其在高温环境下仍能保持稳定的电气性能,适用于工业级和车载电子等严苛工作条件。器件通过AEC-Q101车规认证的可能性较高,体现了其在可靠性和耐用性方面的高标准。此外,产品不含铅和卤素,符合国际环保法规要求,支持绿色制造趋势。
RB425D T146广泛应用于多种中低功率电子系统中,尤其是在需要高效能和小型化的场合。它常见于便携式设备如智能手机、平板电脑、可穿戴设备中的电源管理单元,用于电池充放电回路的防反接保护或多电源切换路径中的隔离二极管。
在DC-DC转换器中,该二极管常被用作异步整流拓扑中的续流二极管,配合PWM控制器和MOSFET实现高效的能量传递。由于其低VF特性,能够有效减少输出级的能量损失,提高整体转换效率,尤其在轻负载和中等负载条件下优势明显。
此外,该器件也可用于AC-DC适配器、USB供电模块、LED驱动电源以及各种嵌入式控制系统中的电压钳位、瞬态抑制和反向电压保护电路。在太阳能充电控制器、移动电源(Power Bank)和无线充电接收端等新兴应用中,RB425D T146同样发挥着关键作用。
得益于其快速响应能力和高温耐受性,该二极管也被用于汽车电子系统中的辅助电源模块,例如车载信息娱乐系统、传感器供电电路和车身控制模块等,满足车载环境对元器件稳定性和长寿命的需求。
[
"RB425D-40",
"MBR240",
"SB240",
"SS24",
"SK24",
"PMGJ2A40EP",
"DM325L40H"
]