时间：2025/9/9 13:53:58
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CDRH5D28RNP-5R0NC是一款由Chaozhou 5555 Semiconductor Corp制造的N沟道增强型功率MOSFET。这款MOSFET设计用于高效率电源转换应用，具有低导通电阻和高耐压特性，适合用于DC-DC转换器、负载开关、电机驱动和电源管理系统等场景。其封装形式为DFN5x6，有助于在高功率密度应用中实现紧凑设计。
类型：N沟道增强型MOSFET
漏源电压(VDS)：500V
连续漏极电流(ID)：8A（典型值）
导通电阻(RDS(on))：0.5Ω（最大值）
栅极电荷(Qg)：15nC（典型值）
封装类型：DFN5x6
CDRH5D28RNP-5R0NC具有低导通电阻，能够有效降低导通损耗，提高系统效率。该MOSFET的500V高耐压能力使其适用于多种高压应用环境。器件采用先进的沟槽式MOSFET技术，优化了开关性能并降低了开关损耗。DFN5x6封装具备良好的散热性能，有助于提高器件在高功率工作条件下的稳定性。此外，该MOSFET具有较高的可靠性和耐用性，能够在较宽的工作温度范围内稳定运行。
CDRH5D28RNP-5R0NC广泛应用于电源管理系统、DC-DC转换器、AC-DC适配器、负载开关、电机驱动电路、工业自动化设备和智能家电等场景。由于其高耐压和低导通电阻特性，该器件也适用于高效率开关电源和功率因数校正电路。
建议可选用CDRH5D28RNP-5R0NCF、CDRH5D28RNP-5R0NCB等型号作为替代，具体替代型号需根据实际应用需求进行选择。
