时间:2025/12/25 12:57:09
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RB162L-60是一款由罗姆半导体(ROHM Semiconductor)生产的表面贴装肖特基势垒二极管(Schottky Barrier Diode),采用SOD-123FL小型封装。该器件专为高效率、低功耗的电源应用而设计,广泛应用于便携式电子设备、开关电源、DC-DC转换器以及极性保护电路中。由于其采用了先进的肖特基势垒技术,RB162L-60在正向导通时表现出较低的正向压降(VF),从而有效减少功率损耗并提升系统整体能效。同时,该二极管具有快速开关特性,反向恢复时间极短,适用于高频整流和高速开关场合。
RB162L-60的额定最大重复反向电压(VRRM)为60V,最大平均正向整流电流(IF(AV))为1A,在典型工作条件下,其正向压降在1A时约为0.52V。该器件的工作结温范围为-55°C至+150°C,具备良好的热稳定性和可靠性。此外,其小型化的SOD-123FL封装不仅节省PCB空间,还支持自动化贴片生产,适合高密度组装需求。RB162L-60符合RoHS环保标准,并通过了无卤素认证,满足现代电子产品对环境友好材料的要求。
型号:RB162L-60
类型:肖特基势垒二极管
封装/包装:SOD-123FL
最大重复反向电压 VRRM:60V
最大平均正向整流电流 IF(AV):1A
峰值正向浪涌电流 IFSM:30A
最大正向压降 VF(@IF=1A, TA=25°C):0.52V
最大反向漏电流 IR(@VR=60V, TA=25°C):100μA
反向恢复时间 trr:≤30ns
工作结温范围 TJ:-55°C ~ +150°C
热阻 RθJA:200°C/W
安装类型:表面贴装
RB162L-60的核心优势在于其优异的电学性能与紧凑的封装设计相结合,使其成为众多中小功率电源管理应用中的理想选择。首先,该器件采用肖特基势垒结构,利用金属-半导体接触原理实现单向导电性,相较于传统的PN结二极管,显著降低了正向导通压降。在1A电流下,典型VF仅为0.52V,这意味着在相同负载条件下产生的导通损耗远低于普通整流二极管,有助于提高电源转换效率并减少散热需求。
其次,RB162L-60具备极快的开关速度,反向恢复时间trr不超过30ns,几乎无反向恢复电荷,因此在高频开关环境下不会产生明显的开关尖峰或电磁干扰,特别适合用于高频DC-DC变换器、同步整流辅助电路以及开关电源的续流或箝位环节。这种快速响应能力还能有效防止因反向恢复引起的能量回流,进一步优化系统效率。
再者,其SOD-123FL封装是一种超小型塑料封装,外形尺寸仅为2.7mm × 1.6mm × 1.1mm,极大节省了印刷电路板(PCB)布局空间,适用于智能手机、平板电脑、可穿戴设备等对体积敏感的应用场景。尽管体积小巧,但该封装仍具备良好的热传导性能和机械强度,支持回流焊工艺,兼容现代SMT生产线。
此外,RB162L-60具有较高的可靠性指标,能够在-55°C至+150°C的宽温度范围内稳定工作,适应严苛的工业与消费类使用环境。其最大反向漏电流在60V偏压下仅为100μA,确保在关断状态下保持低静态功耗。同时,该器件通过AEC-Q101车规级可靠性测试的部分项目,可用于部分车载电子系统中,如LED驱动、电池管理系统中的电压检测路径等。综合来看,RB162L-60在效率、尺寸、速度和可靠性方面达到了良好平衡,是现代高效能电源设计中不可或缺的关键元件之一。
RB162L-60广泛应用于各类需要高效、高频整流功能的电子系统中。常见用途包括:便携式消费类电子产品中的电源管理单元,例如手机、蓝牙耳机、智能手表等设备内的DC-DC升压或降压转换器中作为输出整流或续流二极管;在AC-DC适配器和USB充电模块中用于次级侧整流,以降低功耗并提升效率;在太阳能充电控制器、移动电源(充电宝)及电池供电设备中实现防反接保护和能量回馈控制。
此外,该器件也常用于各类开关电源(SMPS)拓扑结构中,如反激式(Flyback)、正激式(Forward)和Buck-Boost电路,承担续流或隔离作用。由于其快速恢复特性,能够有效抑制电压振荡和EMI噪声,提升电源系统的稳定性与电磁兼容性。在通信设备、网络路由器、机顶盒等嵌入式系统中,RB162L-60可用于电源轨间的隔离与电平切换,保障多路供电系统的安全运行。
在汽车电子领域,该二极管可用于车载信息娱乐系统、LED照明驱动、传感器供电模块等非主驱系统中,提供高效的电压整流与瞬态保护功能。同时,它也可作为TVS二极管的辅助元件,在ESD防护电路中协助泄放瞬态电流。此外,在工业控制、智能家居网关、IoT终端设备中,RB162L-60凭借其小尺寸和高可靠性,成为实现紧凑型电源设计的理想选择。
RB162L-40T1G
SBM160M60EL1G
SS1P4