MB8464C-10LLP-G是一款由富士通(Fujitsu)推出的串行外设接口(SPI)兼容的静态随机存取存储器(SRAM)芯片。该器件属于低功耗、高速CMOS SRAM产品线,专为需要快速数据存取和高可靠性的嵌入式系统、通信设备及工业控制应用而设计。MB8464C-10LLP-G采用先进的制造工艺,确保在宽温度范围内具有稳定的性能表现,适用于对功耗和空间有严格要求的应用场景。该芯片封装形式为小型化的8引脚 LLP(Leadless Lead Frame Package),有助于节省PCB布局空间,并提升系统的集成度。作为一款非易失性存储器的替代缓存方案或主存储器使用,MB8464C-10LLP-G支持标准SPI协议,简化了与微控制器、DSP或其他主机处理器的接口设计。其主要特点包括高速读写能力、低待机功耗以及良好的抗干扰性能,能够在恶劣环境条件下保持数据完整性。此外,该器件符合RoHS环保标准,适合用于绿色电子产品设计中。由于其高可靠性与稳定性,MB8464C-10LLP-G广泛应用于网络设备、医疗仪器、汽车电子模块以及便携式消费类电子产品中。
型号:MB8464C-10LLP-G
制造商:Fujitsu
存储容量:4 Kbit (512 x 8)
接口类型:SPI(四线制,支持模式0和3)
工作电压范围:2.7V 至 3.6V
最大时钟频率:20 MHz
工作温度范围:-40°C 至 +85°C
封装类型:8-pin LLP(无引脚封装)
写保护功能:支持硬件写保护(通过WP引脚)
保持电压:最小1.8V
待机电流:典型值2 μA(最大10 μA)
工作电流:读取模式下典型值5 mA(@ 20 MHz)
写入时间:字节写入时间最大15 ns
组织结构:512 字节 x 8 位
输入/输出逻辑电平:兼容TTL和CMOS
MB8464C-10LLP-G具备多项先进特性,使其在同类SRAM产品中脱颖而出。首先,其采用标准四线SPI接口(SCK、SI、SO、CS#),支持全双工通信模式,允许主机以高达20MHz的时钟速率进行数据传输,从而实现快速的数据读写操作。这种高速接口特别适用于实时数据采集系统或需要频繁访问内存的控制应用。
其次,该芯片内置硬件写保护机制,通过独立的WP#引脚可防止意外写入或擦除操作,增强了数据安全性。当WP#引脚拉低时,所有写操作将被禁止;而在正常操作时,WP#应保持高电平或悬空(内部上拉)。这一功能对于关键系统参数存储尤为重要,能够有效避免因噪声或程序错误导致的数据损坏。
再者,MB8464C-10LLP-G具有极低的功耗特性,在待机模式下电流消耗仅为几微安级别,非常适合电池供电或节能型设备。同时,其工作电压范围为2.7V至3.6V,兼容主流3.3V电源系统,并能在电压波动情况下维持稳定运行。
此外,该器件采用先进的CMOS工艺制造,具备出色的抗静电能力和温度稳定性,可在-40°C到+85°C的工业级温度范围内可靠工作,满足严苛环境下的使用需求。封装方面,8引脚LLP小型化封装不仅节省空间,还提高了热传导效率,有利于系统整体散热管理。
最后,MB8464C-10LLP-G支持无限次读写操作,不存在闪存那样的寿命限制,因此适合作为频繁更新数据的缓冲区或临时存储区域。其数据保持时间在断电后依赖外部保持电压(最低1.8V),配合备用电源可实现长时间数据保留。
MB8464C-10LLP-G因其高性能、低功耗和小尺寸特性,被广泛应用于多个领域。在通信设备中,它常用于路由器、交换机和基站模块中作为高速缓存或配置寄存器,用于临时存储路由表、会话状态或固件参数,确保数据快速响应和处理。
在工业自动化控制系统中,该芯片可用于PLC(可编程逻辑控制器)、远程I/O模块和传感器节点中,作为中间数据缓冲区,存储实时采集的传感器数据或执行指令队列,提高系统响应速度和稳定性。
在汽车电子方面,MB8464C-10LLP-G可用于车载信息娱乐系统、车身控制模块(BCM)和高级驾驶辅助系统(ADAS)中,提供可靠的本地数据存储能力,支持快速启动和运行过程中的高频数据交换。
医疗设备如便携式监护仪、血糖仪和超声成像系统也采用此类SRAM芯片,用于图像帧缓冲、患者数据暂存或系统日志记录,保障数据完整性和设备实时性。
此外,在消费类电子产品如智能手表、无线耳机和IoT终端设备中,MB8464C-10LLP-G凭借其低功耗和小型封装优势,成为理想的内存解决方案,尤其适用于需要长时间待机但仍需快速唤醒和数据交互的应用场景。
测试与测量仪器如示波器、频谱分析仪等高端设备同样依赖该类SRAM进行高速采样数据的临时存储,确保信号捕获的准确性和连续性。
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