类型：N 沟道增强型 MOSFET
　　漏极-源极电压（VDS）：60V
　　漏极-栅极电压（VDG）：60V
　　源极-栅极电压（VGS）：±20V
　　连续漏极电流（ID）：16A（@TC=25℃）
　　导通电阻（RDS(ON)）：50mΩ（最大值，@VGS=10V）
　　工作温度范围：-55℃ 至 +150℃
　　封装形式：HVSOF

RB161M-60 具有低导通电阻（RDS(ON)），这有助于减少导通损耗并提高整体系统效率。其低 RDS(ON) 特性使得该器件在高电流负载应用中表现优异，同时减少了发热问题。
　　此外，该器件具有较高的开关速度，适用于高频率的 DC-DC 转换器和同步整流器应用。由于其快速的开关特性，RB161M-60 能够在高频环境下保持较低的开关损耗，从而提升系统的工作效率。
　　RB161M-60 的 HVSOF 封装设计不仅减小了 PCB 布局的空间需求，还提供了良好的散热性能。这种封装形式特别适用于需要高功率密度和紧凑布局的现代电子设备，如笔记本电脑电源管理模块和服务器电源系统。
　　该器件的栅极驱动电压范围较宽（±20V），能够兼容多种驱动电路设计。同时，RB161M-60 的阈值电压相对稳定，确保了在不同工作条件下的可靠导通与关断性能。
　　RB161M-60 的可靠性较高，能够在恶劣的工作环境下保持稳定的性能。其工作温度范围宽（-55℃ 至 +150℃），适用于工业级和汽车电子应用。

RB161M-60 广泛应用于多种电力电子设备中，尤其是在需要高效率和高频开关的场合。典型应用包括 DC-DC 转换器、同步整流器、负载开关、电机驱动器和电源管理系统。
　　在笔记本电脑、平板电脑和移动设备中，RB161M-60 可用于主板电源管理电路，提供高效的电压调节和负载切换功能。
　　在服务器和通信设备中，该器件常用于电源模块的同步整流部分，以提高电源转换效率并减少热量产生。
　　此外，RB161M-60 也适用于电动工具、无刷直流电机控制器和 LED 照明驱动电路，其低导通电阻和高电流能力使其在这些应用中表现出色。

Si4410BDY, IRF7413, FDS6680