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RB160MM-30TFTR 发布时间 时间:2025/12/25 11:52:50 查看 阅读:15

RB160MM-30TFTR是一款由ROHM(罗姆)半导体公司生产的表面贴装肖特基势垒二极管(Schottky Barrier Diode),采用SOD-123FL超小型封装。该器件专为高效率、低电压应用设计,具备较低的正向导通压降和快速开关特性,适用于便携式电子设备、电源管理电路以及DC-DC转换器等对空间和能效要求较高的场合。RB160MM-30TFTR的最大重复反向电压为30V,额定平均整流电流为1A,能够有效减少功率损耗并提升系统整体效率。其封装尺寸紧凑,仅为2.7mm x 1.6mm x 1.1mm,适合高密度PCB布局,满足现代电子产品小型化、轻薄化的发展趋势。此外,该器件符合RoHS环保标准,并通过了AEC-Q101车规级可靠性认证,表明其不仅适用于消费类电子,也可用于汽车电子系统中对可靠性和稳定性要求较高的环境。

参数

型号:RB160MM-30TFTR
  类型:肖特基势垒二极管
  封装形式:SOD-123FL
  最大重复反向电压(VRRM):30V
  最大平均整流电流(Io):1A
  峰值浪涌电流(IFSM):30A
  正向压降(VF):典型值0.47V(在1A, TJ=25°C条件下)
  最大反向漏电流(IR):0.1μA(典型值,在25°C下);最大10μA(TJ=125°C)
  反向恢复时间(trr):<5ns
  工作结温范围(TJ):-55°C 至 +150°C
  存储温度范围(Tstg):-55°C 至 +150°C
  热阻(Rth(j-c)):约150°C/W
  安装方式:表面贴装(SMT)

特性

RB160MM-30TFTR的核心优势在于其采用了先进的肖特基势垒结构,实现了极低的正向导通压降与快速开关响应能力。在1A电流下,其典型正向压降仅为0.47V,显著低于传统PN结二极管(通常为0.7V以上),从而大幅降低导通损耗,提高电源转换效率,特别适用于电池供电设备如智能手机、平板电脑、可穿戴设备中的同步整流或防反接保护电路。该器件具有极短的反向恢复时间(trr < 5ns),几乎无反向恢复电荷,避免了高频开关过程中因载流子复合引起的能量损耗和电磁干扰问题,因此非常适合用于高频DC-DC变换器、开关电源(SMPS)以及负载切换电路中。
  此外,RB160MM-30TFTR采用SOD-123FL超小外形封装,体积比标准SOD-123缩小约30%,有利于实现PCB高密度集成,节省宝贵的板空间。该封装还优化了散热路径设计,结合低内部热阻(约150°C/W),可在有限的空间内有效传导热量,提升器件长期运行的可靠性。产品经过严格的老化筛选和可靠性测试,符合AEC-Q101车规认证,能够在恶劣的温度循环、湿度和振动环境下稳定工作,广泛应用于车载信息娱乐系统、LED照明驱动、USB充电接口保护等领域。同时,器件不含铅和有害物质,满足RoHS与无卤素要求,符合现代绿色制造理念。

应用

RB160MM-30TFTR因其高效、小型化和高可靠性的特点,被广泛应用于多种电子系统中。在消费类电子产品中,常用于便携式设备的电源管理单元,例如作为锂电池充放电路径中的防倒灌二极管,或在升压/降压型DC-DC转换器中充当整流元件,以提高能效并延长续航时间。在通信设备中,可用于信号线路的静电防护与瞬态抑制,保障敏感IC的安全运行。在工业控制领域,该器件适用于PLC模块、传感器供电电路及隔离电源反馈回路,提供快速响应和低功耗性能。
  由于其通过AEC-Q101认证,RB160MM-30TFTR也大量应用于汽车电子系统,如车身控制模块、车载导航、ADAS辅助驾驶系统的电源部分,用于防止电池反接损坏后级电路,或在DC-DC转换器中进行续流与箝位操作。此外,在LED照明驱动电源中,该二极管可作为输出整流管使用,减少发热并提升光效稳定性。对于需要高频工作的开关电源拓扑(如反激式、SEPIC、Cuk等),其极短的反向恢复时间和低寄生参数使其成为理想的续流或钳位二极管选择。在USB Type-C PD快充协议支持的电源适配器中,也可用于次级侧同步整流辅助电路或电压检测路径中的隔离元件。

替代型号

RB160M-30TF
  SBM160AM-30
  SS14-S
  MBR160FTN3G
  PMES160CT
  B130WB-13-F

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RB160MM-30TFTR参数

  • 现有数量1,350现货
  • 价格1 : ¥3.90000剪切带(CT)3,000 : ¥1.10790卷带(TR)
  • 系列Automotive, AEC-Q101
  • 包装卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel? 得捷定制卷带
  • 产品状态在售
  • 技术肖特基
  • 电压 - DC 反向 (Vr)(最大值)30 V
  • 电流 - 平均整流 (Io)1A
  • 不同 If 时电压 - 正向 (Vf)480 mV @ 1 A
  • 速度快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)
  • 反向恢复时间 (trr)-
  • 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏50 μA @ 30 V
  • 不同?Vr、F 时电容-
  • 安装类型表面贴装型
  • 封装/外壳SOD-123F
  • 供应商器件封装PMDU
  • 工作温度 - 结125°C(最大)