时间:2025/12/25 10:20:08
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RB160M-90TR是一款由罗姆(ROHM)公司生产的表面贴装肖特基势垒二极管(Schottky Barrier Diode),广泛应用于需要高效能、低正向电压降和快速开关特性的电路中。该器件采用SOD-123FL小型封装,具有紧凑的尺寸和优良的散热性能,适合高密度印刷电路板设计。RB160M-90TR的额定平均正向电流为1A,最大重复峰值反向电压为60V,适用于低压直流电路中的整流、续流、防反接以及电源管理等应用。由于其肖特基结构的特性,该二极管具备较低的正向导通压降(典型值约为0.45V至0.6V),从而有效降低功耗并提高系统效率。此外,该器件还具有较高的浪涌电流承受能力,增强了在瞬态负载或启动过程中的可靠性。RB160M-90TR符合RoHS环保要求,并通过了无卤素认证,适用于消费电子、工业控制、通信设备及便携式电子产品等领域。
型号:RB160M-90TR
制造商:ROHM Semiconductor
封装类型:SOD-123FL
二极管类型:肖特基势垒二极管
最大重复峰值反向电压(VRRM):60V
最大平均正向整流电流(IF(AV)):1A
峰值正向浪涌电流(IFSM):30A(@8.3ms单半波)
最大正向电压降(VF):850mV @ 1A, 25°C
典型正向电压降(VF):约0.45V ~ 0.6V @ 较低电流
最大反向漏电流(IR):200μA @ 60V, 25°C
工作结温范围(TJ):-55°C 至 +150°C
存储温度范围(Tstg):-55°C 至 +150°C
热阻(RθJA):约250°C/W(依PCB布局而定)
安装方式:表面贴装(SMD)
RB160M-90TR的核心优势在于其采用的肖特基势垒结构,这种结构利用金属与半导体之间的势垒形成整流效应,显著降低了传统PN结二极管的正向导通电压。相比普通硅二极管(通常VF为0.7V~1.1V),RB160M-90TR在1A电流下的最大正向压降仅为850mV,典型工作条件下甚至可低至0.45V左右,这不仅减少了能量损耗,也降低了发热问题,特别适合对能效敏感的应用场景,如电池供电设备或高频率开关电源。该器件具备极快的反向恢复时间(trr < 10ns),几乎不存在反向恢复电荷,因此在高频开关电路中不会产生额外的开关损耗或电磁干扰,提升了系统的整体稳定性。
SOD-123FL封装是RB160M-90TR的一个关键设计亮点,相较于标准SOD-123封装,它具有更短的引脚间距和优化的内部连接结构,进一步降低了寄生电感和热阻,提高了高频响应能力和散热效率。该封装尺寸小巧(约2.7mm x 1.6mm x 1.1mm),非常适合空间受限的便携式设备,例如智能手机、平板电脑、可穿戴设备等。同时,该封装支持自动贴片工艺,便于大规模自动化生产。
从可靠性角度看,RB160M-90TR具备良好的热稳定性和抗浪涌能力。其最高工作结温可达+150°C,能够在高温环境下长期稳定运行;而高达30A的峰值浪涌电流耐受能力使其能够应对电源启动瞬间的大电流冲击,避免因瞬态过流导致器件损坏。此外,产品通过AEC-Q101车规级可靠性测试的部分版本可用于汽车电子系统,体现了其高品质与高可靠性。环保方面,该器件符合RoHS指令且为无卤素产品,满足现代绿色电子产品制造的要求。
RB160M-90TR因其优异的电气特性和紧凑封装,被广泛应用于多种电子系统中。在开关模式电源(SMPS)中,常用于输出端的续流或整流二极管,特别是在低压大电流输出场景下,其低VF特性有助于提升转换效率,减少散热需求。在DC-DC转换器中,无论是升压(Boost)、降压(Buck)还是反激式拓扑结构,该二极管都能作为自由轮转二极管使用,确保电感电流连续性并防止电压反冲。
在电池管理系统中,RB160M-90TR可用于防止电池反接保护电路,当电池错误接入时,二极管处于反偏状态,阻止电流流通,从而保护后级电路不受损坏。同时,在太阳能充电控制器、USB电源接口、移动电源等设备中,也可用作防倒灌二极管,防止外部电源向输入源反向供电。
在消费类电子产品中,如液晶电视、机顶盒、路由器、智能家居设备等,RB160M-90TR常用于电源适配器次级侧整流、待机电源回路及电压钳位电路。在工业控制领域,该器件适用于PLC模块、传感器供电单元、继电器驱动电路中的续流保护,抑制感性负载断开时产生的反电动势,保护晶体管或IC免受高压击穿。
此外,由于其快速响应和低损耗特性,RB160M-90TR也被用于信号解调、逻辑电平移位和高频检测电路中。在汽车电子中,尽管标准版非车规级,但类似型号可用于车身控制模块、车载信息娱乐系统或LED照明驱动电源中,提供高效的电源整流功能。总体而言,RB160M-90TR是一款通用性强、性价比高的肖特基二极管,适用于各类中低电压、中小功率应用场景。
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"SB160",
"SS14",
"MBR160",
"1N5819WS",
"AO3401A(MOSFET替代方案)",
"PMG240UN,215",
"B160AW"
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