型号：RB160M-60GTR
　　封装：SOD-123FL
　　是否无铅：是
　　是否符合RoHS：是
　　最大重复反向电压（VRRM）：60V
　　最大平均正向整流电流（IF(AV)）：1.0A
　　峰值正向浪涌电流（IFSM）：30A
　　最大正向电压（VF）：850mV @ 1A
　　最大反向漏电流（IR）：200μA @ 60V
　　反向恢复时间（trr）：≤ 15ns
　　工作结温范围（Tj）：-55°C 至 +150°C
　　存储温度范围（Tstg）：-55°C 至 +150°C

RB160M-60GTR的核心优势在于其采用的肖特基势垒结构，这种金属-半导体接触机制显著降低了正向导通电压，从而减少了导通损耗。在1A电流下，其典型正向压降仅为850mV，相较于传统的快恢复二极管或标准硅PN结二极管（通常VF在0.7V~1.2V之间），虽然数值相近，但在低电压大电流系统中仍可带来明显的效率提升。更重要的是，肖特基二极管几乎没有少子存储效应，因此其反向恢复时间极短，一般不超过15ns，远优于普通整流二极管的数百纳秒甚至微秒级恢复时间。这一特性使其在高频开关环境中表现优异，有效减少开关过程中的能量损耗和电磁干扰（EMI），提高电源系统的整体响应速度与稳定性。
　　该器件的SOD-123FL封装是一种超小型塑料封装，尺寸紧凑（典型尺寸约为2.7mm x 1.6mm x 1.1mm），非常适合用于空间受限的应用场景，如智能手机、平板电脑、可穿戴设备和其他高密度PCB布局的产品。尽管体积小，但其引脚设计和内部结构经过优化，具备良好的散热路径和机械强度，确保在自动回流焊工艺中不会出现虚焊或偏移问题。此外，RB160M-60GTR的工作结温范围宽达-55°C至+150°C，使其能在恶劣环境温度条件下可靠运行，无论是工业级还是消费类应用均可胜任。
　　另一个重要特性是其较低的反向漏电流，在60V反向电压下最大为200μA。虽然肖特基二极管普遍比PN结二极管有更高的反向漏电，但RB160M-60GTR通过材料选择和工艺控制将其限制在合理范围内，避免了因漏电过大导致的静态功耗增加。此外，该器件具备30A的峰值浪涌电流承受能力，意味着它可以在短时间内承受较大的瞬态电流冲击，例如电源上电瞬间的电容充电电流，从而提高了系统的鲁棒性。综合来看，RB160M-60GTR是一款兼顾效率、速度、尺寸与可靠性的高性能肖特基二极管，适用于多种现代电子系统的设计需求。

RB160M-60GTR广泛应用于各类需要高效、快速整流功能的电子电路中。常见使用场景包括开关模式电源（SMPS）中的输出整流环节，尤其是在低压大电流输出的DC-DC转换器中，利用其低正向压降特性来提升转换效率。此外，它也常用于反激式电源（Flyback Converter）或同步整流架构中作为续流二极管，配合主开关管完成能量释放路径，减少环路损耗。由于其快速的反向恢复能力，该器件还能有效抑制电压尖峰和振铃现象，提升系统电磁兼容性（EMC）表现。
　　在电池供电设备中，RB160M-60GTR可用于电池充放电管理电路中的防反接保护或防止反向电流倒灌。例如，在多电源切换系统或备用电池接入电路中，它可以作为理想二极管使用，确保电流只能单向流动，避免主电源与备用电源之间的相互干扰。此外，该器件也适用于LED驱动电源、USB充电端口保护、适配器次级侧整流、逆变器模块以及各种消费类电子产品中的桥式整流电路。
　　工业控制领域同样广泛应用此类器件，如PLC输入输出模块、传感器供电单元、电机驱动电路中的钳位保护等。得益于其小型化封装和高可靠性，RB160M-60GTR特别适合自动化生产线的大规模贴片生产，支持波峰焊和回流焊等多种焊接方式。总体而言，该二极管凭借其优异的电气性能和稳定的制造质量，已成为许多电源设计工程师在中低功率应用中的首选元件之一。

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　　 "SBM160MFL-E3/5AT",
　　 "RB162M-60GTR",
　　 "SS16",
　　 "SK16",
　　 "MBR160FTN3G"
　　]