时间:2025/12/25 11:43:58
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RB095B-60 TL是一款由ROHM(罗姆)半导体公司生产的表面贴装肖特基势垒二极管(SBD),采用双共阴极构型,专为高效率、低功耗应用设计。该器件封装在小型且符合AEC-Q101汽车级认证的TL(Tape Carrier Package Low-profile)封装中,适用于空间受限的便携式电子设备和车载电子系统。RB095B-60 TL具有较低的正向导通压降和快速反向恢复特性,能够有效减少开关损耗,提高电源转换效率。其最大重复峰值反向电压为60V,额定平均整流电流为1A,适合用于DC-DC转换器、同步整流电路、续流二极管以及反向电池保护等场景。由于采用了先进的芯片制造工艺,该器件具备良好的热稳定性和可靠性,并能在高温环境下稳定运行。此外,产品符合RoHS环保标准,支持无铅焊接工艺,广泛应用于消费类电子产品、工业控制模块及汽车信息娱乐系统中。
型号:RB095B-60 TL
类型:肖特基势垒二极管(双共阴极)
最大重复反向电压(VRRM):60V
最大平均整流电流(IO):1A
峰值正向浪涌电流(IFSM):30A
最大正向电压降(VF):0.42V @ IF=1A, TJ=25°C
最大反向漏电流(IR):0.1μA @ VR=60V, TJ=25°C
反向恢复时间(trr):≤ 15ns
工作结温范围(TJ):-55°C 至 +150°C
存储温度范围(Tstg):-55°C 至 +150°C
封装形式:TL (SOD-128)
安装方式:表面贴装(SMT)
符合标准:AEC-Q101, RoHS
RB095B-60 TL所采用的肖特基势垒结构赋予了其显著低于传统PN结二极管的正向导通压降,典型值仅为0.42V,在1A工作电流下可大幅降低导通损耗,提升整体能效表现。这一优势在电池供电设备或对热管理要求严格的系统中尤为重要,有助于延长续航时间并减少散热设计复杂度。
该器件具备极快的反向恢复时间(trr ≤ 15ns),几乎无反向恢复电荷,因此在高频开关电源应用中能有效抑制电压振铃和电磁干扰(EMI),确保系统的稳定性与安全性。尤其在同步整流拓扑结构中,即使主控MOSFET关闭时,RB095B-60 TL也能迅速阻断反向电流,防止能量回流造成效率下降。
双共阴极配置使得两个独立的肖特基二极管共享同一阴极端子,非常适合构建半波倍压整流电路或多路输出续流路径,简化PCB布局布线,节省空间成本。同时,其紧凑的TL封装尺寸(约2mm x 1.2mm)极大提升了在高密度组装环境下的适用性。
该产品通过AEC-Q101汽车级可靠性认证,表明其在温度循环、高温反偏、湿度敏感性等方面均满足严苛的车规级测试要求,适用于发动机舱外电子模块如车载导航、仪表盘电源管理单元等。此外,器件具有优异的热传导性能,可在结温高达+150°C条件下持续运行,保障长期使用的可靠性。
ROHM在制造过程中严格控制金属-半导体接触界面质量,提升了器件的抗浪涌能力和长期稳定性。RB095B-60 TL还具备较低的寄生电感和电容,有利于高频信号完整性。综合来看,这款二极管在效率、尺寸、可靠性和适用性方面实现了良好平衡,是现代高效电源系统中的理想选择之一。
RB095B-60 TL广泛应用于需要高效率和小尺寸封装的电源管理系统中。典型应用场景包括便携式消费类电子产品中的DC-DC升压或降压转换器,作为输出整流二极管或反馈回路中的续流元件,利用其低VF特性减少发热,提高转换效率。
在汽车电子领域,该器件常用于车身控制模块、LED照明驱动电源、车载充电器及信息娱乐系统的辅助电源部分,满足车规级工作温度与可靠性要求。
此外,它也适用于工业传感器、智能电表、无线通信模块等对空间和功耗敏感的设计中,充当防反接保护二极管或反激式变换器中的钳位/续流组件。
由于其快速响应特性,还可用于高速数字电路中的信号整形与箝位,防止瞬态电压冲击损坏后续逻辑芯片。
在太阳能充电控制器、USB PD适配器等绿色能源与快充设备中,RB095B-60 TL同样发挥着关键作用,助力实现小型化与高能效并重的设计目标。