您好,欢迎来到维库电子市场网 登录 | 免费注册

您所在的位置:电子元器件采购网 > IC百科 > RB085T-40

RB085T-40 发布时间 时间:2025/12/25 11:49:30 查看 阅读:24

RB085T-40是一款由ROHM(罗姆)半导体公司生产的表面贴装肖特基势垒二极管(SBD),采用双共阴极配置,专为高效率、低功耗应用而设计。该器件基于碳化硅(SiC)材料技术,相较于传统的硅基肖特基二极管或快恢复二极管,具备更低的反向漏电流、更高的工作温度耐受能力以及更优异的开关特性。RB085T-40适用于需要高效能和高可靠性的电源系统中,尤其是在高温或高频环境下表现突出。其封装形式为小型化的SC-76(相当于SOD-323)封装,节省PCB空间,适合便携式设备和紧凑型电源设计。该二极管广泛应用于开关模式电源(SMPS)、DC-DC转换器、逆变器、太阳能逆变器、工业电机驱动以及电动汽车充电系统等领域。由于其碳化硅材料的特性,RB085T-40能够在高达175°C的结温下稳定运行,显著提升系统热管理效率并降低散热设计复杂度。此外,该器件具有良好的抗浪涌能力和可靠性,符合AEC-Q101汽车级认证标准,适合在严苛的工业与车载环境中使用。

参数

类型:肖特基势垒二极管(SiC)
  配置:双共阴极
  最大重复反向电压(VRRM):40V
  最大正向电流(IF):0.8A
  峰值脉冲正向电流(IFSM):8A
  最大反向漏电流(IR):10μA(典型值,25°C)
  正向电压降(VF):1.45V(@ IF=0.8A, 25°C)
  工作结温范围(Tj):-55°C 至 +175°C
  存储温度范围(Tstg):-55°C 至 +175°C
  封装:SC-76(SOD-323)
  极性标记:阴极端有横杠标识

特性

RB085T-40的核心优势在于其采用碳化硅(SiC)半导体材料制造而成的肖特基势垒结构,这使得它在性能上远超传统硅基二极管。首先,在正向导通方面,尽管其正向压降略高于部分硅肖特基二极管,但由于其极低的反向恢复电荷(Qrr几乎为零),在高频开关应用中能够大幅减少开关损耗,从而提高整体电源转换效率。其次,该器件在高温环境下的稳定性极为出色,即使在接近175°C的结温条件下,其反向漏电流仍保持在可接受范围内,避免了因温升导致的热失控风险,这对于高功率密度电源系统尤为重要。
  另一个关键特性是其出色的动态响应能力。由于SiC材料的宽带隙特性,RB085T-40在关断过程中几乎没有反向恢复电流,消除了传统PN结二极管常见的电流反弹现象,有效降低了电磁干扰(EMI)并减少了对主开关器件(如MOSFET或IGBT)的应力冲击,延长了整个系统的使用寿命。此外,该器件具备良好的抗浪涌能力,能够承受高达8A的峰值脉冲电流,增强了在瞬态负载或启动过程中的可靠性。
  从封装角度来看,SC-76小型化封装不仅节省电路板空间,还具备良好的热传导性能,便于通过PCB进行散热。同时,该产品符合RoHS环保标准,并通过AEC-Q101车规级认证,表明其在振动、湿度、温度循环等恶劣工况下的长期可靠性得到了充分验证,因此非常适合用于汽车电子、工业控制和新能源领域。综上所述,RB085T-40凭借其材料优势、电气性能和高可靠性,成为现代高效电源系统中理想的续流或整流元件。

应用

RB085T-40主要应用于对效率和可靠性要求较高的电力电子系统中。在开关电源(SMPS)和DC-DC转换器中,常被用作输出整流二极管或同步整流的辅助箝位器件,特别是在轻载或中等负载条件下,其低反向漏电和无反向恢复特性有助于提升能效并降低噪声。在光伏逆变器系统中,该器件可用于直流侧的防反接保护或组串旁路功能,在高温环境下依然保持稳定性能,避免因日照升温导致性能劣化。
  在电动汽车相关应用中,RB085T-40可用于车载充电机(OBC)、DC-DC变换器以及电池管理系统(BMS)中的电压检测回路或隔离保护电路。得益于其通过AEC-Q101认证,具备出色的耐久性和环境适应性,可在频繁启停和剧烈温度变化的工况下长期稳定运行。此外,在工业电机驱动和UPS不间断电源系统中,该二极管可作为IGBT或MOSFET的续流二极管使用,有效抑制感性负载产生的反电动势,防止主开关器件损坏。
  由于其小型化封装和表面贴装特性,RB085T-40也适用于空间受限的消费类电子产品,如笔记本电脑适配器、LED照明电源模块以及便携式医疗设备等。在这些应用中,不仅需要高效的能量转换,还需兼顾散热设计和成本控制,而RB085T-40在综合性能上提供了良好的平衡。总之,无论是在新能源、汽车电子还是工业自动化领域,RB085T-40都是一款值得信赖的高性能碳化硅肖特基二极管解决方案。

替代型号

[
   "RB085L-40",
   "SBT085040U",
   "CDB08540A",
   "GSFC08540T"
  ]

RB085T-40推荐供应商 更多>

  • 产品型号
  • 供应商
  • 数量
  • 厂商
  • 封装/批号
  • 询价

RB085T-40资料 更多>

  • 型号
  • 描述
  • 品牌
  • 阅览下载

RB085T-40参数

  • 产品培训模块Diodes Overview
  • 特色产品Fast Recovery Diodes
  • 标准包装500
  • 类别分离式半导体产品
  • 家庭二极管,整流器 - 阵列
  • 系列-
  • 电压 - 在 If 时为正向 (Vf)(最大)550mV @ 5A
  • 电流 - 在 Vr 时反向漏电200µA @ 40V
  • 电流 - 平均整流 (Io)(每个二极管)5A
  • 电压 - (Vr)(最大)40V
  • 反向恢复时间(trr)-
  • 二极管类型肖特基
  • 速度快速恢复 = 200mA(Io)
  • 二极管配置1 对共阴极
  • 安装类型通孔
  • 封装/外壳TO-220-3 整包
  • 供应商设备封装TO-220FN
  • 包装散装