时间：2025/6/26 22:24:11
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PTVSHC3D4V5BL 是一款基于超结技术的高压功率 MOSFET。该器件采用了先进的制造工艺，具有较低的导通电阻和较高的开关速度，非常适合用于高频开关电源、DC-DC 转换器、PFC（功率因数校正）电路以及电机驱动等应用。其额定电压为 600V，能够承受较高的反向电压，同时具备良好的热稳定性和可靠性。
最大漏源电压：600V
连续漏极电流：3.8A
导通电阻（典型值）：170mΩ
栅极电荷：29nC
输入电容：1350pF
工作温度范围：-55℃ 至 +175℃
封装类型：TO-220
PTVSHC3D4V5BL 的主要特性包括：
1. 超低导通电阻，在高电压条件下仍能保持高效性能。
2. 快速开关能力，减少了开关损耗，适合高频应用。
3. 内置 ESD 保护功能，增强了器件的抗静电能力。
4. 具有优异的热稳定性，能够在高温环境下长时间运行。
5. 符合 RoHS 标准，环保且可靠。
6. 封装形式坚固耐用，便于安装和散热管理。
这款 MOSFET 广泛应用于以下领域：
1. 开关电源（SMPS）中的主开关管。
2. DC-DC 转换器的核心功率元件。
3. 功率因数校正（PFC）电路中的升压开关。
4. 各类电机驱动控制电路。
5. 工业自动化设备中的功率转换模块。
6. LED 照明驱动电源设计。
IRFZ44N, STW12NM60, FDP12N60C
