型号：RB058LAM-40TR
　　类型：双共阴极肖特基势垒二极管
　　封装：SOD-123FL
　　极性：双共阴极
　　最大重复峰值反向电压（VRRM）：40V
　　最大直流阻断电压（VR）：40V
　　平均整流电流（IO）：500mA
　　峰值浪涌电流（IFSM）：1.5A
　　最大正向压降（VF）：480mV @ 100mA, 25°C
　　最大反向漏电流（IR）：100μA @ 40V, 25°C
　　反向恢复时间（trr）：典型值5ns
　　工作结温范围（Tj）：-55°C 至 +150°C
　　存储温度范围（Tstg）：-55°C 至 +150°C
　　安装方式：表面贴装
　　符合标准：RoHS, 无卤素

RB058LAM-40TR的核心优势在于其采用了高性能的肖特基势垒结构，实现了极低的正向导通压降与超快的开关响应速度。该器件在100mA电流下的典型正向压降仅为480mV，相比传统PN结二极管可大幅减少导通损耗，提高电源转换效率。尤其在低电压、大电流输出的应用如同步整流替代或DC-DC升压电路中，这种低VF特性有助于延长电池寿命并降低系统温升。
　　其反向恢复时间trr典型值仅为5ns，几乎不存在少数载流子存储效应，因此在高频开关环境下表现出色，能有效抑制反向恢复引起的电压振铃和电磁干扰（EMI），提升系统的稳定性与EMC性能。这一特点使其非常适合用于开关电源、LED驱动器和便携式充电管理模块中作为续流或箝位二极管。
　　该器件采用SOD-123FL超薄小外形封装，外形高度仅约1.0mm，具有良好的散热性能和机械强度，支持自动化贴片生产，适用于高密度组装的现代电子设备。同时，产品经过严格的质量控制流程，具备优良的温度循环耐久性和长期可靠性，在-55°C至+150°C的工作结温范围内保持稳定的电气特性。
　　RB058LAM-40TR还具备较低的反向漏电流，在40V反向电压下最大仅为100μA（25°C），虽然随着温度升高漏电流会有所增加，但在大多数常规应用场景下仍处于可接受范围。此外，其500mA的平均整流电流能力足以满足多数中小功率电路的需求，结合1.5A的峰值浪涌电流承受能力，可在瞬态负载变化时提供一定的安全裕度。整体来看，这是一款兼顾效率、尺寸与可靠性的高性能双肖特基二极管。

RB058LAM-40TR广泛应用于各类需要高效、小型化整流元件的电子系统中。常见用途包括便携式消费电子产品如智能手机、平板电脑和蓝牙耳机中的电源管理单元，用于实现电池充放电路径控制和防止反向电流倒灌。在DC-DC转换器中，它常被用作同步整流的辅助二极管或自举电路中的隔离元件，利用其低正向压降来减少能量损失，提升转换效率。
　　此外，该器件也适用于LED照明驱动电路，作为续流二极管以释放电感储能，避免高压击穿开关管。其快速的反向恢复特性有助于降低开关噪声，改善整体光效稳定性。在USB电源接口、移动电源（Power Bank）及无线充电接收模块中，RB058LAM-40TR可用于电源路径切换和过压保护电路，保障后级IC的安全运行。
　　工业控制领域的小型传感器模块、IoT节点设备和无线通信模块同样依赖此类微型高效二极管来优化电源架构。得益于其SOD-123FL封装的小尺寸和表面贴装特性，RB058LAM-40TR特别适合高密度PCB布局，能够在有限空间内实现多功能集成。另外，其符合RoHS和无卤素要求，满足现代电子产品对环保法规的合规性需求，适用于出口型和高可靠性工业产品设计。

RB054LAM-30TR
　　RB168LAM-60TR
　　SS14
　　BAT54C
　　MBR0540