时间：2025/12/25 12:40:36
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RB055LAM-60TR是一款由ROHM（罗姆）半导体公司生产的肖特基势垒二极管（Schottky Barrier Diode, SBD），采用表面贴装型封装，适用于高效率、低功耗的电源整流和开关应用。该器件具有低正向电压降（VF）和快速反向恢复特性，能够有效减少开关损耗，提高系统整体效率。其额定平均整流电流为500mA，最大反向重复峰值电压为60V，适合用于消费类电子、便携式设备、电源管理单元以及DC-DC转换器等场景。
该产品采用SOD-123FL小型化封装，尺寸紧凑，有助于节省PCB布局空间，同时具备良好的散热性能和机械强度，适合自动化贴片生产流程。RB055LAM-60TR符合RoHS环保标准，无铅且不含卤素，满足现代电子产品对绿色制造的要求。其结构设计优化了电应力分布，提升了器件在瞬态过压情况下的可靠性，适用于多种中低压直流电路中的防倒灌、续流和极性保护功能。
类型：肖特基势垒二极管
极性：单组
最大重复峰值反向电压（VRRM）：60V
最大直流阻断电压（VR）：60V
平均整流电流（IO）：500mA
正向连续电流（IF）：500mA
峰值正向浪涌电流（IFSM）：2A
最大正向电压（VF）：550mV @ 500mA, 25°C
最大反向电流（IR）：100μA @ 60V
反向恢复时间（trr）：典型值 5ns
工作结温范围（Tj）：-55°C 至 +150°C
存储温度范围（Tstg）：-55°C 至 +150°C
封装/外壳：SOD-123FL
安装类型：表面贴装（SMD）
引脚数：2
高度：1.1mm Max
包装方式：编带（Tape & Reel）
包装数量：3000pcs/reel
RB055LAM-60TR的核心优势在于其低正向导通压降与超快开关速度的结合，这使其在低电压、中等电流的应用中表现出卓越的能效特性。其典型正向电压仅为550mV，在500mA的工作电流下显著低于传统PN结二极管（通常为800mV以上），从而大幅降低导通损耗，提升电源系统的转换效率，特别适用于电池供电设备以延长续航时间。此外，由于肖特基二极管是多数载流子导电器件，不存在少数载流子的储存效应，因此其反向恢复时间极短，典型值仅为5纳秒，几乎无反向恢复电荷（Qrr），避免了因反向恢复引起的尖峰电压和电磁干扰（EMI），提高了开关电路的稳定性和可靠性。
该器件具备优良的热稳定性与长期工作可靠性。尽管肖特基二极管普遍面临反向漏电流较大的挑战，但RB055LAM-60TR通过优化金属-半导体接触工艺和引入先进的钝化层技术，有效控制了在高温条件下的漏电流增长，确保在+125°C甚至接近最高结温150°C时仍能维持可接受的反向漏电流水平（不超过100μA）。这种设计平衡了低VF与低IR之间的矛盾，增强了其在宽温度范围内的适用性。SOD-123FL封装不仅体积小巧（约2.7 x 1.6 x 1.1 mm），还具备较好的热传导路径，有利于将芯片产生的热量及时传递至PCB，防止局部过热导致性能下降或失效。
RB055LAM-60TR支持自动贴片工艺，卷带包装便于SMT生产线高效取料，提升了量产一致性与良率。其无卤素与符合RoHS指令的设计也契合全球环保法规要求，适用于出口型电子产品。综合来看，这款二极管在小型化、高效化和绿色制造三大趋势下展现出强大的市场竞争力，广泛应用于各类需要高性能整流元件的现代电子系统中。
RB055LAM-60TR广泛应用于多种中低压直流电源系统中，尤其适合对空间、效率和响应速度有较高要求的场合。常见应用包括便携式电子设备如智能手机、平板电脑、蓝牙耳机和智能手表中的电源路径管理与电池充放电保护电路，用于防止电源反接或负载端电压倒灌损坏充电IC。在DC-DC转换器拓扑中，它常被用作同步整流的替代方案或非同步Buck/Boost电路中的续流二极管，利用其低VF特性减少能量损耗，提升转换效率，尤其是在轻载或中载条件下表现优异。
该器件也适用于AC-DC适配器、USB供电模块、LED驱动电源及小型电源模块中的次级整流环节。在工业控制领域，可用于传感器供电回路、PLC信号隔离单元和继电器驱动电路中的飞轮二极管，吸收感性负载断开时产生的反电动势，保护开关器件如MOSFET或晶体管。此外，在通信设备、网络路由器和IoT终端中，RB055LAM-60TR可作为电源轨间的隔离二极管，实现多电源输入选择或多路冗余供电的“OR-ing”功能，确保系统持续稳定运行。其快速响应能力也有助于抑制瞬态电压波动，提升系统抗扰度。
RB055VM-60T1,RB054LAM-40TR,RB053LAM-30TR,SS14,SMAJ5.0A (部分场景),BAT54C (低电流场景)
