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RB051LA-40TR 发布时间 时间:2025/12/25 11:03:50 查看 阅读:15

RB051LA-40TR是一款由ROHM(罗姆)公司生产的表面贴装肖特基势垒二极管(SBD),采用小型化高效能设计,适用于高密度、低电压和大电流的电源应用。该器件属于RB051系列,具备低正向电压降(VF)和快速反向恢复时间(trr)的特点,能够有效降低功耗并提升系统效率。RB051LA-40TR采用双芯片串联结构,实现了较高的反向耐压能力,同时保持了良好的热稳定性和可靠性。其封装形式为PMDU(Power Mini Dual Flat No-lead Unit),具有较小的占板面积和优良的散热性能,非常适合用于空间受限的便携式电子设备中。该二极管广泛应用于DC-DC转换器、同步整流电路、逆变器、电池管理系统以及各类电源模块中,尤其在需要高效率和低损耗的应用场景下表现出色。由于其优异的电气特性和紧凑的封装尺寸,RB051LA-40TR已成为许多现代电子设备中不可或缺的关键元器件之一。

参数

类型:肖特基势垒二极管
  配置:单路
  最大重复反向电压(VRRM):40V
  最大平均整流电流(IO):1A
  峰值正向浪涌电流(IFSM):30A
  最大正向电压降(VF):0.57V(典型值,@ IF = 1A, TJ = 25°C)
  最大反向漏电流(IR):100μA(最大值,@ VR = 40V, TJ = 25°C)
  反向恢复时间(trr):≤ 10ns
  工作结温范围(TJ):-55°C 至 +150°C
  存储温度范围(Tstg):-55°C 至 +150°C
  封装/包装:PMDU(Plastic Mini Flat Dual Leadless Unit)
  安装类型:表面贴装(SMD)

特性

RB051LA-40TR的核心优势在于其采用了先进的肖特基势垒技术,结合ROHM独有的制造工艺,实现了极低的正向导通压降与出色的开关速度。该器件在1A电流下的典型正向电压仅为0.57V,显著低于传统PN结二极管,从而大幅减少了导通损耗,提高了电源系统的整体能效。此外,由于肖特基二极管本质上是多数载流子器件,不存在少数载流子存储效应,因此其反向恢复时间极短(trr ≤ 10ns),几乎无反向恢复电荷,避免了在高频开关应用中产生严重的EMI干扰和开关尖峰问题。这种特性使其特别适合用于高频DC-DC变换器中的续流或同步整流功能。
  该产品采用双芯片串联结构设计,在确保单个芯片良好性能的同时,提升了整体器件的反向耐压能力至40V,并增强了高温环境下的稳定性与可靠性。即使在高负载或瞬态电流条件下,也能保持稳定的电气表现。PMDU封装不仅体积小巧(典型尺寸约为2.0mm x 1.6mm x 0.7mm),还具备优异的热传导性能,有助于将内部产生的热量快速传递到PCB上,从而延长器件寿命并提高系统可靠性。此外,该封装符合RoHS环保标准,支持无铅回流焊工艺,适用于自动化贴片生产线。
  RB051LA-40TR的工作结温范围宽达-55°C至+150°C,能够在极端温度环境下稳定运行,满足工业级和汽车级应用的需求。其低漏电流特性(最大100μA @ 40V)也保证了在待机或轻载状态下的低静态功耗,进一步优化了能效表现。综合来看,这款二极管凭借其高效率、小尺寸、高可靠性和广泛的适用性,成为现代电源管理设计中的理想选择。

应用

RB051LA-40TR主要应用于各类需要高效能、小体积和高可靠性的电源管理系统中。常见用途包括便携式消费类电子产品如智能手机、平板电脑、笔记本电脑中的DC-DC降压或升压转换器,作为续流二极管或防反接保护元件使用。在这些设备中,其低正向压降可有效减少能量损失,延长电池续航时间。此外,该器件也广泛用于USB供电接口、移动电源(充电宝)、无线充电模块等低电压大电流场合,提供高效的整流与保护功能。
  在通信设备领域,RB051LA-40TR可用于基站电源、路由器和交换机的板级电源模块中,配合同步整流MOSFET实现更高效率的能量转换。在工业控制和自动化系统中,它常被集成于PLC、传感器供电单元、电机驱动电路的辅助电源部分,用于防止反向电流损坏敏感元件。同时,得益于其良好的温度适应性和长期稳定性,该二极管也可用于车载信息娱乐系统、ADAS模块及车身电子系统的低压电源管理中,符合AEC-Q101部分认证要求的可靠性标准。
  此外,RB051LA-40TR还可用于LED照明驱动电路中作为箝位或续流元件,抑制电感反冲电压,保护主控IC;也可在太阳能充电控制器、小型逆变器等绿色能源设备中发挥整流作用。总之,凡是在40V以下工作电压范围内追求高效率、快速响应和紧凑布局的设计方案,均可优先考虑采用RB051LA-40TR作为核心整流器件。

替代型号

RB051LAM-40
  RB051NA-40
  SS14
  SBM140LT1G
  1N5819WS

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RB051LA-40TR参数

  • 特色产品Fast Recovery Diodes
  • 标准包装3,000
  • 类别分离式半导体产品
  • 家庭单二极管/整流器
  • 系列-
  • 二极管类型肖特基
  • 电压 - (Vr)(最大)20V
  • 电流 - 平均整流 (Io)3A
  • 电压 - 在 If 时为正向 (Vf)(最大)450mV @ 3A
  • 速度快速恢复 = 200mA(Io)
  • 反向恢复时间(trr)-
  • 电流 - 在 Vr 时反向漏电1mA @ 20V
  • 电容@ Vr, F-
  • 安装类型表面贴装
  • 封装/外壳PMDT
  • 供应商设备封装PMDT
  • 包装带卷 (TR)