类型：N沟道MOSFET
　　漏源电压（Vds）：40V
　　栅源电压（Vgs）：±20V
　　连续漏极电流（Id）：220A（在25°C）
　　导通电阻（Rds(on)）：1.47mΩ（最大值，典型值）
　　功耗（Pd）：220W
　　工作温度范围：-55°C 至 150°C
　　封装类型：PowerPAK 1212-8

RAHVK1471M1EFH0002X 功率 MOSFET 的核心优势在于其极低的导通电阻，这使得它在高电流应用中能够显著降低功率损耗，提高系统效率。该器件采用了先进的沟槽式 MOSFET 技术，优化了电场分布，从而提高了器件的击穿电压能力和可靠性。其低 Rds(on) 特性使其非常适合用于高功率密度的设计，例如服务器电源、电信设备电源和高性能计算系统的电源管理。
　　此外，RAHVK1471M1EFH0002X 具有优异的热性能，PowerPAK 封装能够有效散热，确保器件在高负载条件下仍能保持稳定运行。其快速开关特性减少了开关损耗，提高了整体系统的能效。该器件还具备高雪崩能量耐受能力，增强了在极端工作条件下的稳定性与耐用性。
　　RAHVK1471M1EFH0002X 的栅极驱动设计兼容标准逻辑电平，使得它可以与多种控制器和驱动器直接连接，简化了电路设计。此外，该器件符合 RoHS 环保标准，适用于对环境要求较高的应用场合。

RAHVK1471M1EFH0002X MOSFET 主要用于需要高效率和高电流承载能力的功率电子系统中。典型应用包括 DC-DC 降压/升压转换器、同步整流器、负载开关、电机驱动器、电池管理系统（BMS）、服务器电源、通信电源、工业自动化设备以及高性能计算设备的电源管理模块。此外，它还可用于汽车电子系统中的功率控制，如电动助力转向系统、车载充电器和电池管理系统。
　　由于其优异的导热性能和高可靠性，RAHVK1471M1EFH0002X 也适用于高温环境下运行的工业设备和电源模块。该器件的高电流能力和低导通损耗特性使其成为设计高效率、高功率密度电源的理想选择。

SiZ230DT, SQJQ1471EL, SiR147DP, FDS4410A, IRF6753