型号：RA45H8087M
　　制造商：Renesas Electronics
　　器件类型：射频功率放大器
　　工艺技术：GaAs HBT
　　工作频率范围：4.4 GHz - 5.0 GHz
　　小信号增益：典型值32 dB
　　输出P1dB：典型值+29 dBm
　　饱和输出功率（Psat）：典型值+30 dBm
　　电源电压（Vcc）：典型值+12 V
　　静态电流（Icq）：典型值180 mA
　　输入/输出阻抗：50 Ω
　　封装类型：陶瓷金属封装（Ceramic Metal Package）
　　尺寸：约9.0 mm × 9.0 mm × 3.5 mm
　　工作温度范围：-40°C 至 +85°C
　　存储温度范围：-55°C 至 +150°C
　　调制标准支持：LTE, WCDMA, WiMAX等

RA45H8087M具备卓越的高频性能和稳定性，适用于要求严格的无线基础设施应用。其核心优势在于采用了GaAs HBT工艺，这种材料体系不仅提供了更高的击穿电压和更好的热稳定性，还能在高频条件下保持较高的电子迁移率，从而实现宽带宽和高增益的结合。在4.4 GHz至5.0 GHz的操作频段内，该器件表现出平坦的增益响应，典型小信号增益可达32 dB，且在整个频带内的波动小于±1 dB，这极大地方便了系统级联设计，并减少了对外部均衡电路的需求。
　　该放大器的输出P1dB压缩点典型值为+29 dBm，饱和输出功率可达+30 dBm，意味着它可以驱动高电平信号而不显著失真，非常适合用于最后一级功率放大（PA级）。同时，其三阶交调点（IP3）性能优异，在典型测试条件下可达到+40 dBm以上，确保在多载波环境下仍能维持低互调失真水平，满足现代通信系统对频谱纯净度的严格要求。
　　RA45H8087M内置输入和输出匹配网络，降低了用户在PCB布局时的设计复杂度，同时也提升了批次一致性。此外，该器件具有良好的直流至射频转换效率，典型值可达35%，有助于减少系统散热需求并延长设备寿命。其偏置电路支持固定偏置和有源偏置两种模式，允许工程师根据具体应用场景灵活调整静态工作点，以在效率、线性度和功耗之间取得最佳平衡。
　　该器件还具备过温保护功能，当结温超过安全阈值时会自动降低输出功率，防止永久性损坏。陶瓷封装不仅提供了优异的气密性和长期可靠性，也便于集成到高密度射频模块中。综合来看，RA45H8087M是一款面向高端通信系统的高性能射频功率放大器，适用于需要长期稳定运行和高可靠性的部署环境。

RA45H8087M主要用于高性能无线通信系统中的射频功率放大环节。它特别适用于工作在4.4 GHz至5.0 GHz频段的设备，例如5G小型基站（Small Cell）、点对点微波回传链路、宽带无线接入系统（如WISP网络）以及工业级Wi-Fi 6E接入点等。由于其高线性度和低互调失真特性，该器件在多载波放大应用中表现尤为出色，常被用于驱动Doherty架构或平衡式放大器结构，以进一步提升系统整体效率和输出能力。
　　在蜂窝通信基础设施中，RA45H8087M可用于宏基站或分布式天线系统的中功率放大级，尤其是在需要支持LTE-A Pro或5G NR非独立组网（NSA）模式的场景下，能够有效处理OFDMA和SC-FDMA调制信号，保证下行链路的高质量传输。此外，该器件也被广泛应用于雷达系统、卫星通信地面站以及测试测量仪器中，作为关键的信号放大单元。
　　在企业级和工业物联网领域，RA45H8087M可用于构建高吞吐量、低延迟的专网通信系统，例如智能工厂中的无线控制网络或港口自动化设备间的高速数据链路。其稳定的温度特性和宽泛的工作温度范围使其能够在户外恶劣环境中长期运行，无需额外的温控措施。对于研发机构和高校实验室而言，该芯片也是进行毫米波前端原型验证和射频算法测试的理想选择，因其提供了可预测的电气行为和一致的批量性能。
　　值得一提的是，RA45H8087M还可用于数字预失真（DPD）系统的开发与验证，其良好的记忆效应控制能力和稳定的AM/PM转换特性，使得它成为评估DPD算法有效性的重要平台。因此，无论是在商用通信设备还是科研实验装置中，RA45H8087M都展现出强大的适应性和工程价值。

RA45H8087MN
　　RA45H8087MP
　　AMMC-6640
　　HMC1080
　　CGHV1J8087