类型：射频功率晶体管
　　晶体管类型：HEMT（高电子迁移率晶体管）
　　频率范围：2.3 GHz - 2.7 GHz
　　输出功率：约400 W（连续波）
　　增益：约18 dB（典型值）
　　效率：约40%
　　工作电压：+28 V
　　封装形式：气腔陶瓷封装（Flanged Ceramic Package）
　　输入和输出阻抗：50Ω
　　热阻：约0.15°C/W（结到壳）
　　工作温度范围：-40°C 至 +150°C

RA13H4047M-01具备优异的射频性能和高可靠性，适合在高功率密度和高温度环境下运行。其基于GaN（氮化镓）材料的HEMT技术提供了更高的功率密度和更宽的带宽，同时减少了热耗散问题，提高了整体效率。该晶体管的输入和输出匹配电路已经内置，简化了外部电路设计，同时减少了设计复杂度和成本。此外，RA13H4047M-01具有良好的线性度和稳定性，适用于需要高信号保真度的通信系统。
　　这款晶体管在2.3 GHz至2.7 GHz的频率范围内表现出色，适用于LTE、WiMAX、DVB-T广播等无线通信系统中的高功率放大器设计。其高输出功率和良好的热管理能力使其在基站和广播发射机中尤为适用。此外，RA13H4047M-01还具有较高的抗失真能力和较低的互调失真（IMD），确保了信号传输的质量。由于其优异的稳定性和坚固的封装结构，RA13H4047M-01能够在恶劣环境下长期稳定运行，是工业级和通信级设备的理想选择。

RA13H4047M-01主要用于无线通信基础设施中的高功率射频放大器，如蜂窝基站、WiMAX基站、DVB-T数字电视发射机、广播系统（如FM/TV发射机）以及各种射频测试和测量设备。此外，它也适用于工业和科学仪器中的射频能量应用，如等离子体发生器和射频加热系统。由于其高频段支持和高功率输出特性，该器件在5G通信系统的前期部署中也具有一定的应用潜力。

CGH40048（Cree/Wolfspeed）、NPT2010（Nexperia）、GAIA-GAN-100-27（Gaia Converter）