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RA07H0608M-01 发布时间 时间:2025/8/11 18:11:28 查看 阅读:49

RA07H0608M-01 是 Renesas(瑞萨电子)生产的一款射频功率晶体管(RF Power Transistor),采用高电子迁移率晶体管(HEMT)技术制造,适用于高频、高功率的射频应用。该器件工作频率范围宽,具有高功率增益和优异的热稳定性,适合用于无线通信、雷达、广播和测试设备等领域。

参数

类型:HEMT射频功率晶体管
  工作频率:6 GHz
  漏极电流(ID):8 A
  漏源电压(VDS):65 V
  输出功率:100 W(典型值)
  增益:14 dB(典型值)
  封装类型:金属陶瓷封装(M-01)

特性

RA07H0608M-01 的主要特性包括其高功率处理能力和优异的线性度,使其在高频应用中表现出色。该晶体管采用了先进的HEMT技术,具备低噪声和高效率的优点,能够在高频率下保持稳定的性能。其高线性度特性使其在多载波通信系统中特别有用,减少了互调失真的影响。此外,RA07H0608M-01 还具备良好的热稳定性和抗过载能力,确保在高功率操作下的可靠性和长寿命。
  该器件的输入和输出阻抗匹配良好,简化了外部电路设计,并降低了插入损耗。同时,RA07H0608M-01 支持脉冲工作模式,适用于雷达和高功率脉冲应用。其封装采用金属陶瓷结构,具备良好的散热性能,确保在高功率运行时的热管理效果。这些特性使得 RA07H0608M-01 成为一种高性能、高可靠性的射频功率晶体管,适用于多种复杂环境下的射频放大任务。

应用

RA07H0608M-01 主要用于各种射频和微波系统的功率放大器设计,包括无线基站、雷达系统、卫星通信、广播设备和测试测量仪器等。其高功率、高频率和高效率特性使其在需要高性能射频放大的应用中表现出色。

替代型号

Cree CGH60015D, NXP BLF639, Toshiba T0706C25-10

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