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R8002ANX 发布时间 时间:2025/12/25 10:58:03 查看 阅读:21

R8002ANX是一款由瑞萨电子(Renesas Electronics)推出的电源管理集成电路(PMIC),专为需要高效、稳定电源解决方案的便携式设备和嵌入式系统设计。该芯片集成了多种电源管理功能,包括降压型DC-DC转换器、低压差线性稳压器(LDO)、电源监控电路以及上电复位(POR)功能。R8002ANX采用小型化封装,适用于对空间要求严格的便携式电子产品,如智能手机、平板电脑、可穿戴设备、物联网终端等。该器件通过优化内部电路结构和控制逻辑,实现了高转换效率与低静态电流的平衡,有助于延长电池供电设备的工作时间。其工作电压范围宽泛,支持单节锂电池或适配器输入,能够为微处理器、传感器、无线模块等不同负载提供稳定的多路电源输出。此外,R8002ANX内置过温保护、过流保护和软启动功能,提升了系统的安全性和可靠性。通过外部电阻分压网络或I2C接口(视具体配置而定),用户可灵活调节输出电压和工作模式,满足多样化应用需求。整体而言,R8002ANX是一款高度集成、性能稳定的电源管理芯片,适合用于复杂但功耗敏感的电子系统中。

参数

型号:R8002ANX
  制造商:Renesas Electronics
  封装类型:WLP(晶圆级封装)
  引脚数:根据资料通常为12或16焊球
  输入电压范围:2.7V 至 5.5V
  最大输出电流(DC-DC):约600mA(典型值)
  LDO输出电流:最高300mA
  静态电流:典型值小于50μA
  工作温度范围:-40°C 至 +85°C
  关断电流:低于1μA
  输出电压精度:±2%
  开关频率:典型值1.2MHz
  控制接口:可能包含使能引脚(EN)或I2C通信接口(需确认数据手册)
  保护功能:过流保护、过温保护、欠压锁定(UVLO)

特性

R8002ANX具备多项先进的电源管理特性,使其在同类产品中具有较强的竞争力。首先,该芯片集成了高效的同步整流降压转换器,采用电流模式控制架构,能够在全负载范围内实现高达90%以上的转换效率。高频开关操作(典型1.2MHz)使得外部电感和电容可以选用更小尺寸的元件,从而显著减小整体电源方案的占板面积,特别适合高密度PCB布局的设计需求。其次,片内集成的一个或多个低压差线性稳压器(LDO)可为噪声敏感的模拟电路或实时时钟(RTC)模块提供干净、低纹波的电源输出,有效提升系统信号完整性。
  R8002ANX还内置了精密的电源监控电路,确保在输入电压异常时及时关闭输出,防止系统因供电不稳而导致数据损坏或硬件故障。其上电复位(POR)功能会在电源建立完成后延迟一段时间再释放复位信号,保障微控制器或其他数字逻辑器件有足够的时间完成初始化。此外,芯片支持轻载高效模式(如脉冲跳跃模式或自动PWM/PFM切换),在待机或低功耗运行状态下大幅降低静态功耗,延长电池寿命。
  为了增强系统安全性,R8002ANX集成了全面的保护机制,包括逐周期限流、短路保护和热关断功能。当芯片温度超过预设阈值(通常为150°C左右)时,会自动切断输出并进入保护状态,待温度下降后恢复正常工作。这种自恢复式保护设计提高了系统的鲁棒性。最后,该器件采用无铅环保材料制造,符合RoHS和REACH规范,适用于工业级和消费类电子产品的批量生产。

应用

R8002ANX广泛应用于各类便携式和低功耗电子设备中,尤其适用于需要多路电源供电且对体积和能效有较高要求的应用场景。在移动通信领域,它可用于智能手机和平板电脑中的辅助电源轨,为传感器中枢、触摸屏控制器或蓝牙/Wi-Fi模块供电。在可穿戴设备如智能手表、健康监测手环中,R8002ANX凭借其小封装和低静态电流特性,成为理想的电源解决方案,支持长时间待机与连续运行。
  在物联网(IoT)终端设备中,例如无线传感器节点、智能家居控制器或远程抄表装置,R8002ANX能够从单节锂电池或USB电源获取能量,并将其高效转换为MCU、RF收发器和传感器所需的多种电压等级,同时保持极低的待机功耗,延长电池更换周期。此外,该芯片也适用于工业手持设备、便携式医疗仪器以及POS终端等嵌入式系统,为其提供稳定可靠的电源管理支持。
  由于其良好的电气性能和集成度,R8002ANX还可用于需要电源排序或动态电压调节的小型嵌入式处理器平台。配合主控芯片的电源管理策略,它可以实现按需供电、分阶段上电等功能,优化整个系统的能耗表现。总之,凡是需要紧凑、高效、可靠的多通道电源管理方案的场合,R8002ANX都是一个值得考虑的选择。

替代型号

ISL9120IRZ-T7
  TPS62748BDBVR
  MAX17504ATPA+

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R8002ANX参数

  • 标准包装500
  • 类别分离式半导体产品
  • 家庭FET - 单
  • 系列-
  • FET 型MOSFET N 通道,金属氧化物
  • FET 特点标准型
  • 漏极至源极电压(Vdss)800V
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C2A
  • 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C4.3 欧姆 @ 1A,10V
  • Id 时的 Vgs(th)(最大)5V @ 1mA
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs12.7nC @ 10V
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds210pF @ 25V
  • 功率 - 最大35W
  • 安装类型通孔
  • 封装/外壳TO-220-3 整包
  • 供应商设备封装TO-220FM
  • 包装散装