您好,欢迎来到维库电子市场网 登录 | 免费注册

您所在的位置:电子元器件采购网 > IC百科 > GA1206A682KBBBR31G

GA1206A682KBBBR31G 发布时间 时间:2025/6/4 4:31:34 查看 阅读:7

GA1206A682KBBBR31G是一款高性能的功率MOSFET芯片,广泛应用于开关电源、电机驱动、DC-DC转换器等电力电子设备中。该芯片采用先进的制造工艺,具有低导通电阻、高开关速度和出色的热性能,能够有效提升系统效率并降低能耗。
  其封装形式为TO-252(DPAK),适合表面贴装技术(SMT),并且具备优良的电气特性和可靠性,适用于多种工业和消费类电子产品。

参数

最大漏源电压:60V
  连续漏极电流:45A
  导通电阻:1.2mΩ
  栅极电荷:79nC
  开关时间:ton=11ns, toff=17ns
  工作温度范围:-55℃至+175℃

特性

GA1206A682KBBBR31G的主要特点是其超低的导通电阻,仅为1.2mΩ,这使得它在高电流应用中能够显著减少导通损耗。
  此外,该器件的栅极电荷较低,仅为79nC,有助于提高开关效率并降低开关损耗。
  它的快速开关特性(开启时间为11ns,关断时间为17ns)使其非常适合高频应用环境。
  同时,该芯片采用了增强散热设计,能够有效管理热量,确保长时间稳定运行。
  其封装形式TO-252(DPAK)不仅节省空间,还提供了良好的机械强度和电气连接性能。

应用

该芯片主要应用于各种高功率密度的电力电子场景,包括但不限于:
  1. 开关电源(SMPS)中的主开关管或同步整流管。
  2. 电动工具和家用电器中的电机驱动电路。
  3. 汽车电子系统中的负载切换和控制。
  4. 工业自动化设备中的电源管理和信号调节。
  5. 高效DC-DC转换器的核心元件。
  由于其卓越的性能和可靠性,GA1206A682KBBBR31G成为许多工程师在设计高效率功率转换器时的首选方案。

替代型号

IRFZ44N
  STP55NF06L
  FDP55N06L

GA1206A682KBBBR31G参数

  • 现有数量0现货
  • 价格在售
  • 系列GA
  • 包装卷带(TR)
  • 产品状态在售
  • 电容6800 pF
  • 容差±10%
  • 电压 - 额定100V
  • 温度系数C0G,NP0
  • 工作温度-55°C ~ 150°C
  • 特性-
  • 等级AEC-Q200
  • 应用汽车级
  • 故障率-
  • 安装类型表面贴装,MLCC
  • 封装/外壳1206(3216 公制)
  • 大小 / 尺寸0.126" 长 x 0.063" 宽(3.20mm x 1.60mm)
  • 高度 - 安装(最大值)-
  • 厚度(最大值)0.067"(1.70mm)
  • 引线间距-
  • 引线样式-