GA1206A682KBBBR31G是一款高性能的功率MOSFET芯片,广泛应用于开关电源、电机驱动、DC-DC转换器等电力电子设备中。该芯片采用先进的制造工艺,具有低导通电阻、高开关速度和出色的热性能,能够有效提升系统效率并降低能耗。
其封装形式为TO-252(DPAK),适合表面贴装技术(SMT),并且具备优良的电气特性和可靠性,适用于多种工业和消费类电子产品。
最大漏源电压:60V
连续漏极电流:45A
导通电阻:1.2mΩ
栅极电荷:79nC
开关时间:ton=11ns, toff=17ns
工作温度范围:-55℃至+175℃
GA1206A682KBBBR31G的主要特点是其超低的导通电阻,仅为1.2mΩ,这使得它在高电流应用中能够显著减少导通损耗。
此外,该器件的栅极电荷较低,仅为79nC,有助于提高开关效率并降低开关损耗。
它的快速开关特性(开启时间为11ns,关断时间为17ns)使其非常适合高频应用环境。
同时,该芯片采用了增强散热设计,能够有效管理热量,确保长时间稳定运行。
其封装形式TO-252(DPAK)不仅节省空间,还提供了良好的机械强度和电气连接性能。
该芯片主要应用于各种高功率密度的电力电子场景,包括但不限于:
1. 开关电源(SMPS)中的主开关管或同步整流管。
2. 电动工具和家用电器中的电机驱动电路。
3. 汽车电子系统中的负载切换和控制。
4. 工业自动化设备中的电源管理和信号调节。
5. 高效DC-DC转换器的核心元件。
由于其卓越的性能和可靠性,GA1206A682KBBBR31G成为许多工程师在设计高效率功率转换器时的首选方案。
IRFZ44N
STP55NF06L
FDP55N06L