时间：2025/6/21 18:36:40
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PHT8N06LT 是一款 N 沟道增强型功率 MOSFET，采用 TO-252 封装形式。它具有低导通电阻、快速开关速度和高电流处理能力的特点，适合在各种电源管理应用中使用。该器件通常用于 DC-DC 转换器、负载开关、电机驱动和电池保护等电路中。
最大漏源电压：60V
最大栅源电压：±20V
连续漏极电流：8A
导通电阻：0.12Ω
栅极电荷：13nC
总电容：480pF
工作结温范围：-55℃至+150℃
PHT8N06LT 具有较低的导通电阻，这有助于减少传导损耗并提高效率。同时，其快速的开关特性和低栅极电荷使其非常适合高频开关应用。此外，该器件的高电流能力和宽温度范围进一步增强了其在多种环境下的可靠性。
由于采用了 TO-252 封装，PHT8N06LT 具备良好的散热性能，能够在紧凑的设计中实现高效的功率转换。
PHT8N06LT 广泛应用于需要高效功率转换的场景，包括但不限于以下领域：
- 开关电源 (SMPS)
- DC-DC 转换器
- 电机驱动
- 负载开关
- 电池保护电路
其低导通电阻和高电流能力使该器件成为这些应用的理想选择。
PHT8N06L, IRFZ44N, FDN340P
