R7010204XXUA 时间：2025/8/7 3:09:46 阅读：31

R7010204XXUA 是一款由 RENESAS（瑞萨电子）推出的功率MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）产品，专为高效率电源管理应用设计。该器件采用先进的沟槽式MOSFET技术，具有低导通电阻（Rds(on)）和高电流承载能力，适用于如DC-DC转换器、负载开关、电机控制以及电池管理系统等场景。R7010204XXUA 通常封装在小型DFN（Dual Flat No-leads）封装中，提供良好的热性能和空间节省设计。

参数

类型：N沟道MOSFET
　　最大漏极电流 (Id)：4.3A
　　最大漏极-源极电压 (Vds)：20V
　　最大栅极-源极电压 (Vgs)：±8V
　　导通电阻 (Rds(on))：最大8.5mΩ @ Vgs=4.5V
　　功率耗散 (Pd)：2.5W
　　工作温度范围：-55°C ~ 150°C
　　封装类型：DFN10
　　

特性

R7010204XXUA MOSFET具备多项高性能特性，首先是其极低的导通电阻，在Vgs=4.5V时最大仅为8.5mΩ，这有助于降低导通损耗并提高系统效率。该器件采用了瑞萨先进的沟槽式结构，提升了电流密度和热稳定性，同时优化了开关性能，减少了开关损耗。
　　此外，R7010204XXUA具有较高的热阻能力，封装设计具备良好的散热性能，适合高功率密度应用。其DFN10封装不仅体积小巧，还提供了优异的热管理和电气性能，适用于空间受限的设计。
　　该MOSFET的栅极驱动电压范围较宽，支持从2.5V到6V的驱动电压，便于与多种控制器或驱动IC配合使用。器件内部还具备一定的雪崩能量耐受能力，提升了在突发负载或电感反冲环境下的可靠性。
　　由于其高可靠性和优异的电气性能，R7010204XXUA适用于多种工业和消费类电子应用，包括电源管理模块、电池供电设备、负载开关、电机驱动电路等。该器件符合RoHS环保标准，无铅封装，符合现代电子产品的环保要求。

应用

R7010204XXUA MOSFET广泛应用于多个领域，包括但不限于：电源管理系统中的DC-DC转换器，用于提升转换效率并减少发热；便携式电子设备中的负载开关，实现高效的电源控制与管理；电机控制电路中，作为高侧或低侧开关使用；电池管理系统（BMS）中，用于保护和控制充放电路径；以及各种需要高效率、小尺寸功率开关的场合，如智能电表、工业自动化设备和LED照明驱动电路。