类型：SiC 肖特基势垒二极管
　　最大反向电压（VR）：1500V
　　最大正向电流（IF）：60A
　　正向压降（VF）：2.05V（典型值，@ IF=60A）
　　最大反向漏电流（IR）：0.1mA（@ VR=1500V）
　　工作温度范围：-55°C 至 +175°C
　　封装形式：TO-247

R60S2315ESYA 采用碳化硅（SiC）材料制造，具有优异的热导率和高温稳定性，使其在高温工作环境下仍能保持良好的性能。
　　该器件的肖特基结构实现了极低的正向压降（VF），从而降低了导通损耗，提高了系统的整体能效。
　　由于碳化硅材料的宽禁带特性，R60S2315ESYA 在高反向电压下具有极低的漏电流，提升了器件的可靠性与安全性。
　　其快速恢复特性几乎消除了反向恢复损耗，适用于高频开关应用，如DC-DC转换器、PFC（功率因数校正）电路以及太阳能逆变器等。
　　TO-247 封装提供了良好的散热性能和机械稳定性，便于安装和散热设计。

R60S2315ESYA 主要应用于高功率密度和高效率要求的电力电子系统，例如工业电源、服务器电源、电动汽车充电系统、太阳能逆变器以及储能系统等。
　　在 PFC（功率因数校正）电路中，R60S2315ESYA 能有效降低导通和开关损耗，提升转换效率，适用于高输入电压的应用场景。
　　其优异的高温特性和高耐压能力使其成为电动汽车车载充电器（OBC）和DC-DC转换器中的理想选择。
　　此外，该器件还可用于高可靠性工业设备和电网基础设施中，提供稳定可靠的功率转换解决方案。

R60S2315ESY1, R60S2315ESY2