FDMS3606S 是一款由 Fairchild Semiconductor(飞兆半导体)生产的 N 沟道增强型功率 MOSFET,广泛用于电源管理和功率转换应用。该器件采用先进的 PowerTrench? 技术,优化了导通电阻(Rds(on))和开关性能,以提高效率并降低功耗。FDMS3606S 通常用于同步整流、DC-DC 转换器、负载开关和电池管理系统等应用。该器件采用 8 引脚 SOIC 封装,具备良好的热性能和高电流承载能力。
类型:N 沟道 MOSFET
漏源电压(Vds):60V
栅源电压(Vgs):±20V
连续漏极电流(Id):7.8A
导通电阻(Rds(on)):22mΩ @ Vgs=10V
功率耗散(Pd):3W
工作温度范围:-55°C ~ 150°C
封装类型:8-SOIC
FDMS3606S MOSFET 采用 PowerTrench? 技术,显著降低了导通电阻(Rds(on)),从而减少了导通损耗并提高了整体效率。该器件在 Vgs=10V 时,Rds(on) 典型值为 22mΩ,能够在高电流应用中保持较低的功率损耗。
其栅极电荷(Qg)较低,有助于提高开关速度并减少开关损耗,适用于高频开关应用。此外,该 MOSFET 的雪崩能量等级较高,具备良好的耐用性和可靠性,适用于严苛的工作环境。
FDMS3606S 采用 SOIC-8 封装,具有良好的热管理性能,能够有效散热,适用于紧凑型电源设计。该器件符合 RoHS 环保标准,适用于工业和消费类电子产品。
该 MOSFET 支持快速切换,适用于同步整流拓扑结构,能够显著提升 DC-DC 转换器的效率。此外,其低输入电容(Ciss)有助于减少驱动电路的负担,提高系统响应速度。
FDMS3606S 主要用于电源管理系统,如同步整流器、DC-DC 转换器、负载开关、电池管理系统和电机控制电路。由于其低导通电阻和高效率特性,该器件广泛应用于笔记本电脑、服务器、通信设备以及工业控制系统中。
在 DC-DC 转换器中,FDMS3606S 作为高边或低边开关使用,提供高效的电压转换。在负载开关应用中,它能够实现快速开关控制,减少静态电流损耗。此外,该器件也适用于电池供电设备中的电源管理模块,确保设备在不同负载条件下保持高效运行。
FDMS3606S 还常用于电机驱动电路和功率放大器设计,提供稳定的电流控制能力。在电源管理 IC(PMIC)外围电路中,该 MOSFET 可作为辅助开关器件使用,优化整体系统性能。
SiSS16DN, FDS6675C, IRF7413, FDMS3610S