型号：R6046ANZ1
　　类型：N沟道MOSFET
　　封装：CST3 (SOT-723 equivalent)
　　最大漏源电压VDS：30V
　　最大连续漏极电流ID：2.7A @ Ta=25°C
　　最大脉冲漏极电流IDM：8.1A
　　最大栅源电压VGS：±20V
　　阈值电压Vth：1.0V ~ 2.0V
　　导通电阻RDS(on)：38mΩ @ VGS=10V
　　导通电阻RDS(on)：46mΩ @ VGS=4.5V
　　输入电容Ciss：290pF @ VDS=15V
　　输出电容Coss：110pF @ VDS=15V
　　反向传输电容Crss：40pF @ VDS=15V
　　总栅极电荷Qg：5.5nC @ VDS=15V
　　开启延迟时间td(on)：4ns
　　关断延迟时间td(off)：7ns
　　工作结温范围Tj：-55°C ~ +150°C
　　存储温度范围Tstg：-55°C ~ +150°C

R6046ANZ1采用先进的沟槽型MOSFET工艺，在确保低导通电阻的同时实现了极小的芯片面积，从而在CST3封装中提供出色的电流处理能力。其典型的导通电阻在VGS=10V时仅为38mΩ，而在VGS=4.5V时为46mΩ，表明其在低电压驱动条件下仍能保持较低的导通损耗，适用于由逻辑电平信号直接驱动的应用场景，例如由微控制器GPIO控制的负载开关或电源路径管理。
　　该器件具有较低的栅极电荷（Qg=5.5nC）和输入电容（Ciss=290pF），有助于减少开关过程中的驱动功耗，提高整体系统效率，特别适合用于高频PWM控制的DC-DC变换器或同步整流电路。同时，其快速的开关响应时间（开启延迟约4ns，关断延迟约7ns）进一步提升了动态性能，降低了开关过渡期间的能量损耗。
　　R6046ANZ1具备良好的热稳定性，得益于其优化的封装设计和内部连接结构，能够在有限的空间内有效散热。尽管封装尺寸极小，但其最大连续漏极电流可达2.7A（在自由空气环境下），并通过严格的可靠性测试，包括高温反偏（HTRB）、高温栅偏（HTGB）和温度循环等，确保长期运行的稳定性和耐用性。
　　此外，该MOSFET的阈值电压范围为1.0V至2.0V，使其能够兼容多种低电压控制信号，支持从1.8V到5V的逻辑电平驱动，增强了系统设计的灵活性。其反向传输电容（Crss）较低，有助于抑制米勒效应引起的误触发，提升在高dv/dt环境下的抗干扰能力。综合来看，R6046ANZ1是一款集高性能、小型化与高可靠性于一体的功率MOSFET，非常适合用于现代便携式电子产品的电源管理模块中。

R6046ANZ1主要应用于需要小型化、高效率功率开关的电子设备中。典型应用场景包括便携式消费电子产品中的负载开关，例如智能手机和平板电脑中的外设电源控制，通过MOSFET实现对摄像头、显示屏背光、Wi-Fi模块等子系统的上电与断电管理，以降低待机功耗并延长电池续航时间。
　　在电池供电系统中，R6046ANZ1可用于电池保护电路或充放电路径控制，配合保护IC实现过流、短路及反接保护功能。其低导通电阻特性可有效减少功率损耗，避免发热问题，提高系统能效。
　　此外，该器件也适用于DC-DC降压或升压转换器中的同步整流环节，替代传统肖特基二极管以提升转换效率。在小功率AC-DC适配器、USB PD电源管理单元以及LED驱动电路中，R6046ANZ1也能发挥其高频开关性能优势。
　　由于其封装体积小巧（CST3），R6046ANZ1特别适合用于空间高度受限的高密度PCB布局设计，如TWS耳机充电盒、智能手表、健康监测设备等可穿戴产品。同时，其符合工业级温度范围要求（-55°C ~ +150°C），也可用于部分工业控制或汽车电子中的辅助电源模块，只要不超过其电流与功耗限制即可。

R6020GNZ1
　　R6036KNZ1
　　DMG2302UK