时间：2025/12/25 14:04:48
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R6035ENZ1是一款由罗姆半导体（ROHM Semiconductor）推出的N沟道功率MOSFET，采用紧凑型表面贴装封装（通常为SOP-8或HVSOF封装），专为高效率开关电源、DC-DC转换器以及电机驱动等应用设计。该器件结合了低导通电阻（RDS(on)）、快速开关速度和高可靠性，适用于需要高功率密度和低功耗的现代电子系统。R6035ENZ1在设计上优化了栅极电荷（Qg）与导通电阻之间的平衡，使其在高频开关条件下仍能保持较低的开关损耗和导通损耗，从而提升整体系统效率。该MOSFET支持较高的漏源电压（VDS），典型值为600V，适合用于离线式电源适配器、LED照明电源、工业控制电源模块等应用场景。此外，R6035ENZ1具备良好的热稳定性与抗雪崩能力，能够在恶劣工作环境下稳定运行。其封装形式有助于提高PCB布局的灵活性，并支持自动化生产流程。该器件符合RoHS环保标准，且在制造过程中遵循严格的品质控制流程，确保长期使用的可靠性。
类型：N沟道MOSFET
漏源电压（VDS）：600V
连续漏极电流（ID）：3.5A
脉冲漏极电流（IDM）：14A
导通电阻（RDS(on) max @ VGS=10V）：1.2Ω
导通电阻（RDS(on) max @ VGS=5V）：1.4Ω
栅极阈值电压（Vth）：2.0V ~ 4.0V
输入电容（Ciss）：520pF @ VDS=25V
输出电容（Coss）：190pF @ VDS=25V
反向传输电容（Crss）：15pF @ VDS=25V
总栅极电荷（Qg）：17nC @ VDS=500V
开启延迟时间（td(on)）：10ns
关断延迟时间（td(off)）：35ns
二极管反向恢复时间（trr）：35ns
最大工作结温（Tj）：150°C
封装类型：HVSOF
R6035ENZ1具备优异的电气性能和热管理能力，其核心优势在于低导通电阻与优化的开关特性相结合，显著降低了功率损耗。该MOSFET在VGS=10V时RDS(on)典型值仅为1.2Ω，这使得在中等电流负载下能够有效减少I2R损耗，提升电源系统的整体能效。同时，较低的栅极电荷（Qg=17nC）意味着驱动电路所需的驱动功率更小，有利于简化栅极驱动设计并降低驱动芯片的负担，特别适用于高频PWM控制场合。
器件具有良好的开关动态特性，开启延迟时间约为10ns，关断延迟时间为35ns，配合较小的反向传输电容（Crss=15pF），可有效抑制米勒效应引起的误触发问题，提高系统在高dv/dt环境下的抗干扰能力。此外，其体二极管的反向恢复时间较短（trr=35ns），减少了反向恢复电荷（Qrr），从而降低了在桥式拓扑或同步整流应用中的尖峰电压和电磁干扰（EMI），提升了系统的稳定性和安全性。
R6035ENZ1采用HVSOF封装，具有较高的爬电距离和电气隔离性能，适用于高压应用场景。该封装还具备优良的散热性能，通过底部裸露焊盘可将热量高效传导至PCB，增强热扩散能力，延长器件寿命。器件支持150°C的最大结温，可在高温工业环境中可靠运行。此外，产品经过严格的质量认证，具备高抗雪崩能量能力，能够在瞬态过压或感性负载切换时提供更强的耐受性，避免因电压击穿导致的早期失效。
R6035ENZ1广泛应用于多种中高功率开关电源系统中，尤其适合用于AC-DC电源适配器、离线式反激变换器、LED恒流驱动电源以及小型逆变器等设备。在60W至150W范围内的开关电源设计中，该MOSFET常作为主开关管使用，凭借其600V耐压能力和良好的效率表现，满足能效标准如Energy Star和DoE Level VI的要求。
在LED照明领域，R6035ENZ1可用于隔离型反激或降压-升压拓扑结构的恒流源设计，实现高功率因数（PFC）和低谐波失真，适用于商业照明、户外路灯及工业照明系统。此外，在电机控制应用中，该器件可作为半桥或全桥电路中的低端开关，用于驱动直流无刷电机（BLDC）或步进电机，尤其适用于家用电器如风扇、水泵和空调压缩机的电子控制模块。
由于其封装小巧且支持表面贴装工艺，R6035ENZ1也适用于空间受限的便携式工业设备和通信电源模块。在光伏微逆变器、智能电表电源单元以及工业自动化控制系统中，该器件表现出良好的长期稳定性和抗干扰能力，能够适应复杂电磁环境和宽温度变化条件。其高可靠性和一致性使其成为工业级和消费类电源设计中的优选MOSFET之一。
R6035KNZ1,R6035JNZ1,2SK3569,2SK3570
