时间：2025/9/14 5:51:28
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BZV85-C18,113 是一款由 Nexperia（原 Philips Semiconductors）生产的齐纳二极管（Zener Diode），主要用于电压调节和电路保护应用。该器件属于 BZV85 系列，具有固定齐纳击穿电压，适用于低功率稳压场合。其封装形式为 DO-35（又称 axial leaded glass encapsulated package），适合通孔安装，具备良好的稳定性和可靠性。该器件广泛用于电源管理、基准电压源、过压保护等电子电路中。
类型：齐纳二极管
齐纳电压 Vz：18 V
最大齐纳电流 Izmax：50 mA
功率耗散 Ptot：300 mW
工作温度范围：-55°C 至 +150°C
封装形式：DO-35
极性：单向齐纳
最大漏电流 Ir（在 Vr 下）：100 nA（典型）
动态电阻 Rz：10 Ω（典型）
温度系数：正温度系数（+18 mV/°C 典型）
BZV85-C18,113 齐纳二极管具有稳定的击穿电压特性和良好的温度稳定性。其额定齐纳电压为 18V，在额定电流条件下具有较低的动态阻抗（Rz），确保了良好的电压调节性能。该器件的最大功率耗散为 300mW，适用于中低功率的电压调节场合。BZV85-C18,113 采用 DO-35 玻璃封装，具有优良的机械强度和环境适应能力，能够在 -55°C 至 +150°C 的宽温度范围内稳定工作。
该器件的漏电流非常低，在反向截止状态下仅有纳安（nA）级别的漏电流，适用于高阻抗电路中的电压钳位和基准电压应用。其温度系数为正值，意味着齐纳电压会随着温度的升高而略微上升，设计时需考虑这一特性以实现更高的稳定性。
BZV85-C18,113 的制造工艺保证了良好的参数一致性，适用于工业级和消费类电子产品的电源管理、电压参考、过压保护等应用场景。其封装形式便于手工焊接和自动化装配，适合多种电路板设计需求。
BZV85-C18,113 主要用于以下应用场景：在电源电路中作为基准电压源或电压调节器件，为比较器、ADC/DAC 等模拟电路提供稳定参考；在低压直流系统中实现过压保护，防止敏感元件因电压波动而损坏；在仪表电路中作为精密电压参考源；也可用于信号调理电路中的电压钳位，防止信号输入过载。此外，该器件也适用于电池供电设备、工业控制、通信模块和消费类电子产品中的电压稳定和保护功能。
BZX84-C18,115 / BZV85-C18 / 1N4746A-T / 1N5248B-T
