时间：2025/8/7 4:15:19
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R6011030XXYA 是一款由 ROHM（罗姆）公司生产的 N 沟道增强型功率 MOSFET，主要用于需要高效率和高性能的电源管理应用。该器件具有低导通电阻（Rds(on)）、高耐压能力以及优良的热稳定性，适用于 DC-DC 转换器、负载开关、电池管理系统以及其他需要高电流和高效率的场合。其封装形式通常为小型化的表面贴装封装，有助于节省 PCB 空间并提高系统集成度。
类型：N 沟道 MOSFET
漏极-源极电压（Vds）：30 V
栅极-源极电压（Vgs）：±20 V
连续漏极电流（Id）：110 A（在 Vgs=10V 时）
导通电阻（Rds(on)）：最大 3.0 mΩ（在 Vgs=10V 时）
工作温度范围：-55°C 至 150°C
封装类型：双排散热增强型表面贴装封装（例如：HPAK 或 LFPAK）
R6011030XXYA 的主要特性之一是其极低的导通电阻（Rds(on)），这有助于降低导通损耗并提高电源转换效率。该器件采用了 ROHM 先进的功率 MOSFET 技术，具有优异的热性能和电流承载能力，确保在高负载条件下依然保持稳定工作。
此外，R6011030XXYA 具有良好的栅极氧化层可靠性，能够承受较高的栅极电压应力，从而提高器件的耐用性和长期稳定性。其封装设计优化了散热性能，使得器件能够在高电流下保持较低的温升，延长使用寿命并提高系统可靠性。
该 MOSFET 还具备较低的输入电容（Ciss）和输出电容（Coss），有助于减少开关损耗，提高开关速度，适用于高频开关应用。其快速的开关特性使其在同步整流、DC-DC 转换器以及负载开关等应用中表现出色。
R6011030XXYA 主要应用于需要高效率和高电流能力的电源管理系统中。例如，在 DC-DC 转换器中，它可以用作主开关或同步整流器，提高转换效率并减少发热。在电池管理系统中，该器件可用于控制电池充放电路径，确保系统的安全性和稳定性。
此外，R6011030XXYA 还适用于服务器、通信设备、工业自动化设备、电动汽车（EV）充电系统、储能系统以及各种高功率密度电源模块。其小型化封装设计使其特别适合空间受限的设计，如笔记本电脑、平板电脑和智能电源适配器。
由于其高可靠性和优异的热管理性能，该 MOSFET 也可用于汽车电子系统，如车载充电器（OBC）、DC-DC 转换器和电动助力转向系统（EPS）等。
SiSS110N10NM5T1G
IRF110N10D
FDMS7680
IPD90N10S3-03
