时间：2025/7/14 15:19:13
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R6004JNX是一款由Renesas（瑞萨电子）推出的功率MOSFET，属于N沟道增强型场效应晶体管。该器件广泛应用于需要高效、高可靠性的开关电源、DC-DC转换器、负载开关和电机控制等场景中。R6004JNX的设计注重低导通电阻（RDS(ON)），以减少导通损耗并提高整体效率。
类型：N沟道增强型MOSFET
漏极电流（ID）：150A
漏源电压（VDS）：60V
栅源电压（VGS）：±20V
导通电阻（RDS(ON)）：最大值为3.8mΩ（在VGS=10V时）
功耗（PD）：170W
封装形式：LFPAK56（也称为PowerSSO-24）
R6004JNX具备多项优秀的电气和物理特性，使其适用于高性能电力电子系统。
首先，其导通电阻RDS(ON)非常低，最高仅3.8mΩ，这可以显著降低导通状态下的功率损耗，并提升能效。由于采用了先进的沟槽式MOSFET技术，R6004JNX能够在高温环境下稳定运行，同时保持较低的热阻，从而确保良好的散热性能。
其次，该MOSFET使用了LFPAK56封装，这种无引脚封装结构不仅减小了PCB占用空间，还提升了热传导能力，使得器件更适应高密度、高功率的应用需求。此外，LFPAK56封装具有出色的抗机械应力能力，提高了器件在恶劣环境中的可靠性。
再者，R6004JNX的栅极设计优化了开关性能，降低了开关损耗，同时具备较高的雪崩能量承受能力，增强了器件的耐用性。它支持高达±20V的栅源电压（VGS），提供了更高的驱动灵活性和稳定性，同时也内置了静电放电（ESD）保护机制，进一步提升了长期使用的安全性。
最后，这款MOSFET的工作温度范围宽广，通常可在-55°C至+175°C之间正常运行，适合各种工业和汽车电子应用。
R6004JNX主要应用于多个高功率领域，例如：
- 开关电源（SMPS）：作为主开关或同步整流器，用于提高效率和降低发热。
- DC-DC转换器：适用于服务器、通信设备及嵌入式系统的高效能直流变换电路。
- 负载开关：用于电池管理系统、电动工具和电动汽车中的快速开关控制。
- 电机控制：适用于无刷直流电机（BLDC）驱动和电动车控制系统。
- 汽车电子：如车载充电器、启停系统和动力总成模块等，满足汽车行业对高可靠性和耐久性的要求。
SiZ104DT, IPP110N06S4-07, SQJA40EP
