类型：N 沟道增强型 MOSFET
　　最大漏源电压（Vds）：20V
　　最大栅源电压（Vgs）：±12V
　　最大连续漏极电流（Id）：1.7A
　　导通电阻 Rds(on)：0.135Ω @ Vgs = 4.5V
　　导通电阻 Rds(on)：0.18Ω @ Vgs = 2.5V
　　功率耗散（Pd）：1.6W
　　工作温度范围：-55°C ~ 150°C
　　封装形式：DPAK（TO-252）

MTDF1N02HDR2G 是一款基于 trench 技术制造的 N 沟道 MOSFET，具有非常低的导通电阻，这使得它在导通状态下能够显著降低功率损耗，提高系统的整体效率。其最大漏源电压为 20V，适用于低压功率控制应用，如电池供电设备、DC-DC 转换器、负载开关和电机驱动器。
　　该器件的最大连续漏极电流为 1.7A，在适当的散热条件下可以满足中等功率应用的需求。Rds(on) 在 Vgs=4.5V 时为 0.135Ω，在 Vgs=2.5V 时为 0.18Ω，表明该器件可以在较低的栅极驱动电压下保持良好的导通性能，适用于由低压控制器或逻辑电路直接驱动的场合。
　　MTDF1N02HDR2G 的封装为 DPAK（TO-252），具有良好的热管理和可靠性，适用于表面贴装工艺，节省 PCB 空间。其工作温度范围为 -55°C 至 150°C，确保其在各种环境条件下都能稳定工作，适用于工业和汽车应用。
　　此外，该器件的功率耗散为 1.6W，具有较好的热性能，在设计中可以结合 PCB 的铜箔散热区域进行有效散热。该 MOSFET 具有较高的可靠性和稳定性，符合 RoHS 标准，适用于绿色环保电子产品设计。

MTDF1N02HDR2G 广泛应用于多个领域，包括但不限于以下方面：
　　1. **电池供电设备**：由于其低导通电阻和低功耗特性，适合用于便携式设备如智能手机、平板电脑、可穿戴设备中的电源管理电路。
　　2. **DC-DC 转换器**：在升压或降压转换器中作为高效开关器件，提高转换效率并减少发热。
　　3. **负载开关**：用于控制电源的通断，例如在多路电源管理系统中实现负载隔离或切换。
　　4. **电机驱动器**：适用于小型电机或步进电机的驱动控制，特别是在低电压环境下。
　　5. **LED 驱动电路**：用于控制 LED 灯具的开关和亮度调节，特别是在 PWM 控制方式下表现出色。
　　6. **工业自动化和控制设备**：作为功率开关用于继电器替代、传感器供电控制等场合。
　　7. **汽车电子系统**：可用于车载充电器、照明控制系统、车载信息娱乐系统等应用中。

FDMS3610, FDN340P, 2N7002, BSS138