R5650T407BC-E2-FE是一款高性能的MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),广泛应用于电源管理、DC-DC转换器、开关电源以及电机驱动等领域。该器件采用先进的制造工艺,具有低导通电阻、高开关速度和出色的热性能,能够显著提高系统效率并降低能耗。
该型号属于Rohm公司的产品线,专为中高压应用设计。其封装形式为LFPAK8,支持表面贴装技术(SMD),便于自动化生产和小型化设计。
类型:N-Channel MOSFET
最大漏源电压(VDS):40V
最大栅源电压(VGS):±20V
连续漏极电流(ID):135A
导通电阻(RDS(on)):1.4mΩ
栅极电荷(Qg):37nC
开关频率:高达1MHz
工作温度范围:-55℃ to 175℃
封装形式:LFPAK8
R5650T407BC-E2-FE具备以下显著特点:
1. 极低的导通电阻(RDS(on)仅为1.4mΩ),可有效减少功率损耗,特别适用于大电流应用场合。
2. 高速开关能力,支持高达1MHz的工作频率,适合高频DC-DC转换器等应用场景。
3. 出色的热稳定性,在高温环境下仍能保持良好的性能表现。
4. 强大的抗浪涌能力,确保在恶劣环境下的可靠性。
5. 符合RoHS标准,环保且易于通过国际认证。
这款MOSFET适用于多种电子电路,包括但不限于:
1. 开关电源(SMPS)中的同步整流和主开关元件。
2. DC-DC转换器的核心功率级组件。
3. 电动工具及家电产品的电机驱动控制。
4. 工业自动化设备中的负载切换与保护。
5. 汽车电子系统中的电池管理系统(BMS)和逆变器模块。
R5650T407BC-E2-FE凭借其优异的性能,是众多高效率、高密度电力电子设计的理想选择。
R5650T407BC-E2-LP, R5650T407BC-E2-TP