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R5650T407BC-E2-FE 发布时间 时间:2025/5/8 16:14:46 查看 阅读:26

R5650T407BC-E2-FE是一款高性能的MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),广泛应用于电源管理、DC-DC转换器、开关电源以及电机驱动等领域。该器件采用先进的制造工艺,具有低导通电阻、高开关速度和出色的热性能,能够显著提高系统效率并降低能耗。
  该型号属于Rohm公司的产品线,专为中高压应用设计。其封装形式为LFPAK8,支持表面贴装技术(SMD),便于自动化生产和小型化设计。

参数

类型:N-Channel MOSFET
  最大漏源电压(VDS):40V
  最大栅源电压(VGS):±20V
  连续漏极电流(ID):135A
  导通电阻(RDS(on)):1.4mΩ
  栅极电荷(Qg):37nC
  开关频率:高达1MHz
  工作温度范围:-55℃ to 175℃
  封装形式:LFPAK8

特性

R5650T407BC-E2-FE具备以下显著特点:
  1. 极低的导通电阻(RDS(on)仅为1.4mΩ),可有效减少功率损耗,特别适用于大电流应用场合。
  2. 高速开关能力,支持高达1MHz的工作频率,适合高频DC-DC转换器等应用场景。
  3. 出色的热稳定性,在高温环境下仍能保持良好的性能表现。
  4. 强大的抗浪涌能力,确保在恶劣环境下的可靠性。
  5. 符合RoHS标准,环保且易于通过国际认证。

应用

这款MOSFET适用于多种电子电路,包括但不限于:
  1. 开关电源(SMPS)中的同步整流和主开关元件。
  2. DC-DC转换器的核心功率级组件。
  3. 电动工具及家电产品的电机驱动控制。
  4. 工业自动化设备中的负载切换与保护。
  5. 汽车电子系统中的电池管理系统(BMS)和逆变器模块。
  R5650T407BC-E2-FE凭借其优异的性能,是众多高效率、高密度电力电子设计的理想选择。

替代型号

R5650T407BC-E2-LP, R5650T407BC-E2-TP