时间：2025/6/23 11:22:04
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R5511N019AB-TR-F 是一款高性能的 MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）芯片，主要应用于开关和功率管理领域。该器件具有低导通电阻、高开关速度和出色的热稳定性等特性，适用于各种工业和消费类电子产品中的电源转换和负载驱动场景。
该型号属于 N 沱型 MOSFET 系列，采用了先进的制程技术以优化效率和性能，同时封装设计使其易于集成到紧凑型电路板中。
类型：N 沱型 MOSFET
Vds（漏源电压）：60V
Rds(on)（导通电阻）：1.9mΩ
Id（持续漏电流）：110A
Qg（栅极电荷）：37nC
Vgs(th)（阈值电压）：2.2V
Pd（功耗）：18W
工作温度范围：-55°C 至 +175°C
R5511N019AB-TR-F 具有以下显著特性：
1. 极低的导通电阻 (Rds(on))，可有效减少功率损耗并提升系统效率。
2. 高耐压能力（Vds），适合高压环境下的开关应用。
3. 快速开关性能，能够适应高频工作条件。
4. 出色的热稳定性和可靠性，保证在极端温度条件下仍能正常运行。
5. 小型化封装设计，便于在空间受限的场合使用。
6. 支持大电流操作，满足高功率需求的应用场景。
该芯片广泛应用于以下领域：
1. 开关电源 (SMPS) 和 DC/DC 转换器。
2. 电机驱动和控制电路。
3. 电池管理系统 (BMS) 中的保护和切换功能。
4. LED 照明系统的驱动电路。
5. 工业自动化设备中的功率管理模块。
6. 消费电子产品的充电和供电单元。
其优异的性能使其成为众多高效能功率转换解决方案的理想选择。
R5511N019AE-TR-F, R5511N019AC-TR-F
