R5400N110FA-TR-F 是一款高性能的 N 沃特 (N-Channel) 场效应晶体管 (MOSFET),由知名半导体厂商生产。该型号属于逻辑电平驱动系列,主要应用于电源管理、电机驱动和开关电路等领域。R5400N110FA-TR-F 的设计优化了低导通电阻和高效率性能,使其在功率转换应用中表现优异。
该器件采用 TO-263-3(D2PAK)封装形式,具有出色的散热性能和机械稳定性,适合各种工业及消费类电子应用。
漏源极击穿电压:100V
连续漏极电流:37A
导通电阻(Rds(on)):1.8mΩ(典型值,在 Vgs=10V 时)
栅极电荷:47nC(最大值)
反向恢复时间:40ns(典型值)
功耗:340W(最大值)
工作温度范围:-55℃ 至 +175℃
R5400N110FA-TR-F 具有以下显著特点:
1. 极低的导通电阻(Rds(on)),可有效降低传导损耗,提升整体效率。
2. 高速开关能力,确保在高频应用中的出色性能。
3. 小型化封装,节省 PCB 空间的同时保持良好的散热性能。
4. 支持逻辑电平驱动,简化电路设计并降低驱动损耗。
5. 宽工作温度范围,适应各种恶劣环境条件。
6. 符合 RoHS 标准,环保且满足全球法规要求。
该 MOSFET 广泛用于以下领域:
1. 开关电源(SMPS)和 DC-DC 转换器。
2. 电动工具和家用电器中的电机驱动。
3. 工业自动化设备中的功率控制模块。
4. 电池管理系统(BMS)和新能源汽车相关应用。
5. 各种负载切换和保护电路。
R5400N110FA-TR-F 凭借其高效能和可靠性,是这些应用的理想选择。
RFP50N06LE, IRFZ44N, FDP5570N