型号：R452.375MRL
　　制造商：Renesas Electronics
　　类型：差分晶体振荡器（XO）
　　输出频率：452.375 MHz
　　输出逻辑类型：LVDS / LVPECL（具体以数据手册为准）
　　供电电压：3.3V 或 2.5V（典型值）
　　频率稳定性：±50 ppm（最大值）
　　工作温度范围：-40°C 至 +85°C
　　存储温度范围：-55°C 至 +125°C
　　启动时间：≤ 5 ms（典型值）
　　相位抖动（积分周期典型为12 kHz 至 20 MHz）：＜ 1 ps RMS
　　老化率（第一年）：±3 ppm/年
　　封装类型：6-pin or 8-pin SMD ceramic/metal lid package
　　尺寸：约 5.0 mm x 3.2 mm x 1.2 mm（典型）
　　谐波抑制：＞ 30 dBc
　　电源电流：＜ 60 mA（典型）

R452.375MRL具备卓越的频率精度与热稳定性，采用高Q值石英晶体与内置精密PLL电路相结合的设计架构，能够将基础晶振频率倍频至目标输出频率452.375 MHz，同时维持极低的相位噪声性能。其核心优势在于实现了超低抖动输出，在高速串行链路应用中可显著降低误码率，提升系统可靠性。该器件内部集成了温度传感器与补偿算法，实时监测环境温度变化并动态调整输出频率，从而有效抑制因温度漂移引起的频率偏移，确保在整个工业温度范围内保持±50 ppm以内的频率偏差。
　　该振荡器支持多种差分输出格式，兼容LVDS和LVPECL电平标准，用户可根据系统需求选择合适配置，实现与FPGA、ASIC、ADC/DAC、SerDes接口等关键组件的良好匹配。差分信号结构不仅提高了共模噪声抑制能力，还降低了电磁干扰（EMI）辐射，有助于通过EMC认证。此外，R452.375MRL采用优化的电源去耦设计，对电源噪声不敏感，可在复杂电源环境中稳定运行。
　　在可靠性方面，该器件经过严格的可靠性验证测试，包括高温老化、温度循环、机械冲击与振动测试，确保在严苛工业环境下长期稳定工作。其封装采用密封性良好的陶瓷基底结构，防止湿气与污染物侵入，延长使用寿命。同时，产品遵循无铅制造工艺，符合RoHS及REACH环保规范，适合全球市场应用。内置故障保护机制可在异常供电条件下快速关闭输出，避免对下游电路造成损害。整体设计兼顾高性能、高可靠性和易用性，是高端通信与时钟同步系统的理想选择。

R452.375MRL主要用于对时钟精度和信号完整性要求极高的高端电子系统中。典型应用场景包括电信基站中的同步以太网（SyncE）和OTN（光传送网）设备，用于提供主控时钟参考；在数据中心的高速背板互连与光模块中，作为SerDes收发器的参考时钟源，支持10G/25G/100G及以上速率的数据传输；亦可用于测试与测量仪器，如示波器、频谱分析仪和网络分析仪，为其内部采样系统和信号生成单元提供低抖动时钟基准。
　　在无线通信领域，该器件可服务于5G NR基站的前传与中传单元，满足严格的时间同步要求（如IEEE 1588 PTP协议）。在工业自动化与航空航天系统中，R452.375MRL可用于高精度数据采集系统（DAQ）、雷达信号处理平台以及卫星通信终端，保障系统在极端温度条件下的稳定运行。此外，它还可作为高性能FPGA（如Xilinx UltraScale+或Intel Stratix系列）的外部时钟输入，支持高速接口协议如PCIe Gen3/Gen4、Interlaken、JESD204B/C等的正常运作。
　　由于其优异的相位噪声性能和宽温适应能力，R452.375MRL也适用于医疗成像设备（如MRI、CT扫描仪）中的高速ADC驱动时钟，减少图像伪影并提高分辨率。总之，任何需要低抖动、高稳定性差分时钟信号的场合，都是该器件的理想应用领域。

R452.375MEH
　　SiT952BD-25CM452.375M