R45101.5 时间：2025/12/26 21:42:30 阅读：8

R45101.5是一款由ROHM Semiconductor生产的N沟道功率MOSFET，广泛应用于电源管理、DC-DC转换器、电机驱动以及开关电源等高效率功率转换场景。该器件采用先进的沟槽式场效应技术，优化了导通电阻与栅极电荷之间的平衡，从而在高频开关应用中实现更低的功耗和更高的系统效率。R45101.5以其小型化封装和优异的热性能，适用于对空间和散热有严格要求的现代电子设备，如便携式电子产品、工业控制模块和汽车电子系统等。
　　该MOSFET设计注重可靠性和稳定性，在高温环境下仍能保持良好的电气特性。其封装形式通常为紧凑型表面贴装器件（如SOP-8或类似封装），便于自动化生产并提升PCB布局的灵活性。R45101.5符合RoHS环保标准，并具备良好的抗静电能力（ESD保护），增强了在实际应用中的耐用性。此外，该器件在设计上兼顾了成本效益与性能表现，是中低功率开关应用中的理想选择之一。

参数

型号：R45101.5
　　通道类型：N沟道
　　最大漏源电压(VDS)：30V
　　最大连续漏极电流(ID)：7.2A
　　最大脉冲漏极电流(ID_pulse)：28A
　　最大栅源电压(VGS)：±20V
　　导通电阻(RDS(on))：1.5mΩ @ VGS=10V
　　导通电阻(RDS(on))：2.1mΩ @ VGS=4.5V
　　栅极电荷(Qg)：11nC @ VGS=10V
　　输入电容(Ciss)：560pF @ VDS=15V
　　反向恢复时间(trr)：22ns
　　工作结温范围(Tj)：-55°C ~ +150°C
　　封装类型：SOP-8 Power Package
　　导通阈值电压(VGS(th))：1.2V ~ 2.0V

特性

R45101.5具备出色的导通性能和开关响应能力，其超低导通电阻（RDS(on)）显著降低了在大电流条件下的导通损耗，提升了整体能效。该器件在VGS=10V时的典型RDS(on)仅为1.5mΩ，即使在较低驱动电压4.5V下也能维持2.1mΩ的低阻状态，使其兼容多种逻辑电平驱动电路，包括由微控制器直接驱动的应用场景。这种低阈值电压和高跨导特性确保了快速且稳定的开关动作，减少了过渡期间的能量损耗。
　　该MOSFET采用了优化的芯片结构和封装技术，有效提高了热传导效率，使得即使在高功率密度工作条件下也能保持较低的温升。内部结构设计减少了寄生电感和电容的影响，有助于抑制电压振铃和电磁干扰（EMI），从而提高系统的电磁兼容性。同时，较低的栅极电荷（Qg=11nC）意味着驱动电路所需提供的能量更少，有利于降低驱动IC的负担并进一步提升系统效率。
　　R45101.5还具有良好的雪崩耐量和短路耐受能力，能够在异常工况下提供一定的自我保护机制，增强系统可靠性。其宽泛的工作结温范围（-55°C至+150°C）使其适用于恶劣环境下的工业和车载应用。器件的稳定参数漂移特性和长期可靠性经过严格测试，满足AEC-Q101等车规级认证要求（若适用），确保在生命周期内性能一致。此外，该MOSFET对dv/dt和di/dt变化率有较强的容忍度，减少了因瞬态干扰导致误触发的风险，适合用于高频PWM控制和复杂负载切换场合。

应用

R45101.5常用于各类高效开关电源系统中，例如同步整流DC-DC降压变换器、负载开关、电池供电设备的电源管理单元以及LED驱动电路。其低导通电阻和快速开关特性使其特别适合用于便携式设备中的电压调节模块（VRM），如笔记本电脑、平板电脑和智能手机的主板电源设计。在工业自动化领域，该器件可用于PLC输出模块、继电器替代开关以及中小功率电机驱动电路，实现无触点控制以提升系统寿命和响应速度。
　　此外，R45101.5也适用于汽车电子中的辅助电源系统，如车载信息娱乐系统、车身控制模块（BCM）、LED照明驱动和电动门窗控制等。其高可靠性与温度适应性满足汽车环境的严苛要求。在电信和网络设备中，该MOSFET可用于多相电压调节器（VRM）或POL（Point-of-Load）转换器中，为处理器和ASIC提供高效稳定的供电。由于其封装紧凑，还可用于空间受限的高密度PCB布局，支持小型化终端产品的开发。总之，R45101.5凭借其高性能指标和广泛适用性，成为现代电力电子系统中不可或缺的关键元件之一。