时间：2025/5/31 1:32:41
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SI2336DS-T1-GE3 是一款来自 Vishay 的 N 沟道增强型 MOSFET 芯片，采用小型化的 SOT-23 封装。该器件以其低导通电阻（Rds(on)）和高开关速度著称，非常适合用于消费电子、通信设备及便携式设备中的负载开关、DC-DC 转换器以及电池保护等应用。
其设计优化了功耗与效率之间的平衡，并支持高频开关操作，从而在空间受限的电路设计中提供高效的性能。
型号：SI2336DS-T1-GE3
Vgs(th)：0.8V 至 2.5V
Rds(on)：45mΩ（典型值，在 Vgs=4.5V 下）
最大漏极电流（Id）：3.9A
最大栅源电压（Vgs）：±8V
封装形式：SOT-23
工作温度范围：-55℃ 至 +150℃
SI2336DS-T1-GE3 的主要特性包括以下几点：
1. 极低的导通电阻 Rds(on)，能够有效降低传导损耗并提升系统效率。
2. 支持宽范围的栅极驱动电压，兼容多种电源场景。
3. 高度集成的小型化封装 SOT-23，有助于节省 PCB 空间。
4. 在高温环境下表现出色，适合严苛的工作条件。
5. 快速开关能力，适用于高频应用场合。
6. 符合 RoHS 标准，环保且易于组装生产。
这款芯片被广泛应用于多个领域，例如：
1. 手机和平板电脑等便携式电子设备中的电源管理。
2. DC-DC 转换器和同步整流电路。
3. 各类负载开关和电池保护电路。
4. 工业控制及汽车电子系统的辅助电源模块。
5. 需要高效功率转换的小型化设计中。
由于其高性能和小尺寸，SI2336DS-T1-GE3 成为众多工程师在紧凑型设计中的首选方案。
SI2302DS, SI2307DS, BSS138
