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SI2336DS-T1-GE3 发布时间 时间:2025/5/31 1:32:41 查看 阅读:10

SI2336DS-T1-GE3 是一款来自 Vishay 的 N 沟道增强型 MOSFET 芯片,采用小型化的 SOT-23 封装。该器件以其低导通电阻(Rds(on))和高开关速度著称,非常适合用于消费电子、通信设备及便携式设备中的负载开关、DC-DC 转换器以及电池保护等应用。
  其设计优化了功耗与效率之间的平衡,并支持高频开关操作,从而在空间受限的电路设计中提供高效的性能。

参数

型号:SI2336DS-T1-GE3
  Vgs(th):0.8V 至 2.5V
  Rds(on):45mΩ(典型值,在 Vgs=4.5V 下)
  最大漏极电流(Id):3.9A
  最大栅源电压(Vgs):±8V
  封装形式:SOT-23
  工作温度范围:-55℃ 至 +150℃

特性

SI2336DS-T1-GE3 的主要特性包括以下几点:
  1. 极低的导通电阻 Rds(on),能够有效降低传导损耗并提升系统效率。
  2. 支持宽范围的栅极驱动电压,兼容多种电源场景。
  3. 高度集成的小型化封装 SOT-23,有助于节省 PCB 空间。
  4. 在高温环境下表现出色,适合严苛的工作条件。
  5. 快速开关能力,适用于高频应用场合。
  6. 符合 RoHS 标准,环保且易于组装生产。

应用

这款芯片被广泛应用于多个领域,例如:
  1. 手机和平板电脑等便携式电子设备中的电源管理。
  2. DC-DC 转换器和同步整流电路。
  3. 各类负载开关和电池保护电路。
  4. 工业控制及汽车电子系统的辅助电源模块。
  5. 需要高效功率转换的小型化设计中。
  由于其高性能和小尺寸,SI2336DS-T1-GE3 成为众多工程师在紧凑型设计中的首选方案。

替代型号

SI2302DS, SI2307DS, BSS138

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SI2336DS-T1-GE3参数

  • 制造商Vishay
  • 晶体管极性N-Channel
  • 汲极/源极击穿电压30 V
  • 闸/源击穿电压+/- 8 V
  • 漏极连续电流5.2 A
  • 电阻汲极/源极 RDS(导通)0.042 Ohms at 4.5 V
  • 配置Single
  • 最大工作温度+ 150 C
  • 安装风格SMD/SMT
  • 封装 / 箱体SOT-23-3
  • 封装Reel
  • 下降时间10 nS
  • 正向跨导 gFS(最大值/最小值)30 S
  • 栅极电荷 Qg5.7 nC
  • 最小工作温度- 55 C
  • 功率耗散1.8 W
  • 上升时间10 nS
  • 典型关闭延迟时间20 nS
  • 零件号别名SI2336DS-GE3