R33MF5 时间：2025/8/28 9:31:16 阅读：4

R33MF5 是一款由Renesas（瑞萨电子）公司推出的功率MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），专为高效率功率转换应用设计。该器件采用先进的沟槽式MOSFET技术，具有低导通电阻（Rds(on)）、高耐压和高电流承载能力等优点，适用于电源管理、DC-DC转换器、电机控制和负载开关等应用场景。R33MF5 封装形式为SOP（小外形封装），便于在PCB上安装和集成。

参数

类型：N沟道MOSFET
　　漏源电压（Vds）：30V
　　栅源电压（Vgs）：±20V
　　连续漏极电流（Id）：120A
　　导通电阻（Rds(on)）：3.3mΩ（典型值，@Vgs=10V）
　　功率耗散（Pd）：120W
　　工作温度范围：-55°C 至 +150°C
　　封装类型：SOP（表面贴装）

特性

R33MF5 具备多项优异的电气和物理特性，使其在功率电子应用中表现出色。
　　首先，该MOSFET采用先进的沟槽结构设计，显著降低了导通电阻（Rds(on)），从而减少了导通损耗，提高了整体能效。在Vgs=10V时，Rds(on)的典型值仅为3.3mΩ，适用于高电流应用。
　　其次，R33MF5的最大漏极电流可达120A，能够在高负载条件下稳定工作，适用于大功率DC-DC转换器、电机驱动和电池管理系统等场景。同时，其最大漏源电压为30V，支持中高电压范围的应用。
　　此外，该器件的封装形式为SOP，具有良好的热性能和电气性能，便于表面贴装，适用于自动化生产流程。其高功率耗散能力（120W）也确保了在高负载条件下的可靠运行。
　　R33MF5 还具备良好的栅极驱动特性，能够快速开启和关断，降低开关损耗，并提高系统效率。同时，其宽工作温度范围（-55°C至+150°C）使其适用于各种严苛的工业和汽车电子环境。
　　综上所述，R33MF5 凭借其低导通电阻、高电流能力、优良的封装设计和稳定的性能，是一款适用于多种功率转换和控制应用的高性能MOSFET。