工作电压范围：1.8V ~ 6.0V
　　输出电压：2.2V（固定）
　　输出电压精度：±1%（Ta=25°C）
　　最大输出电流：300mA
　　静态电流：典型值2.0μA
　　关断电流：最大0.1μA
　　输入输出电压差（Dropout Voltage）：典型值110mV（Iout=100mA）
　　纹波抑制比（Ripple Rejection）：典型值70dB（f=1kHz）
　　工作温度范围：-40°C ~ +85°C
　　封装形式：DFN1210-6
　　引脚数：6
　　产品等级：工业级

R3112N221C-TR-F具备多项卓越的电气与物理特性，使其在同类LDO产品中脱颖而出。首先，其超低静态电流（典型值仅2.0μA）极大地提升了电池供电系统的能效表现，特别适用于长期待机或低功耗运行的物联网设备、可穿戴电子产品以及无线传感器网络。这种低功耗设计不仅延长了电池寿命，还减少了系统整体热损耗，有助于提升系统的热稳定性。
　　其次，该器件拥有出色的纹波抑制能力，在1kHz频率下可达到70dB的典型值，能够有效滤除来自开关电源或其他噪声源的输入端电压波动，从而为敏感模拟电路（如ADC、DAC、PLL等）提供干净稳定的电源。这一特性对于音频处理、精密测量和通信模块尤为重要。
　　再者，R3112N221C-TR-F具备良好的瞬态响应性能，当负载电流发生快速变化时，输出电压能够迅速恢复稳定，避免因电压跌落或过冲导致系统复位或数据错误。这得益于内部优化的误差放大器结构和外部小容量陶瓷电容即可实现稳定工作的设计兼容性（推荐输出电容为0.47μF以上）。
　　该芯片还集成了多重保护机制，包括过电流保护和热关断功能。当输出短路或负载过大时，过流保护会限制电流输出，防止器件损坏；当芯片结温超过安全阈值时，热关断电路将自动关闭输出，待温度下降后恢复正常工作，增强了系统的鲁棒性。
　　最后，DFN1210-6的小型封装不仅节省PCB空间，而且具有良好的散热性能，适合自动化贴片生产，满足现代电子产品小型化、轻量化和高可靠性的需求。

R3112N221C-TR-F因其高精度、低噪声和低功耗特性，被广泛应用于多种对电源管理要求严苛的电子系统中。在便携式消费类电子产品中，例如智能手表、蓝牙耳机和健康监测设备，它为微控制器、传感器和无线收发模块提供稳定的工作电压，同时最大限度地延长电池续航时间。
　　在工业控制和自动化领域，该LDO可用于为PLC中的信号调理电路、温度/压力传感器前端供电，确保采集数据的准确性和系统的长期稳定性。由于其宽输入电压范围（最高支持6.0V），它可以适配多种电池配置或经过预稳压的电源轨。
　　在通信设备方面，R3112N221C-TR-F常用于为RFID读写器、Zigbee模块、LoRa节点等低功耗无线模块供电。其高纹波抑制比能有效隔离主电源中的开关噪声，防止干扰射频信号链路，提升通信质量和抗干扰能力。
　　此外，在医疗电子设备中，如便携式血糖仪、脉搏血氧计等，电源的纯净度直接影响测量精度，因此该芯片也成为理想的电源解决方案之一。
　　汽车电子中的车载传感器、ECU辅助电源等非高温区应用也可采用此型号，前提是工作环境温度不超过其规格上限（+85°C）。总之，凡是对电源稳定性、噪声水平和能耗有较高要求的应用场景，R3112N221C-TR-F均是一个值得信赖的选择。

R1120N221B-TR-F,R3112N221A-TR-F,XC6206P222MR-G