时间：2025/5/26 12:28:55
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R3111N251C-TR 是一款高性能的 N 治道场效应晶体管（N-MOSFET），由知名半导体制造商生产。该器件采用先进的制造工艺，具有低导通电阻和高开关速度的特点，适用于多种功率转换和开关应用。其封装形式为 SOT-23，适合表面贴装技术（SMT）的应用场景，广泛用于消费电子、通信设备及工业控制等领域。
最大漏源电压（Vds）：30V
最大栅源电压（Vgs）：±20V
连续漏极电流（Id）：1.1A
导通电阻（Rds(on)）：0.9Ω
栅极电荷（Qg）：6nC
开关时间：ton=17ns，toff=8ns
工作温度范围（Tj）：-55℃至+150℃
封装形式：SOT-23
R3111N251C-TR 具有出色的电气性能，主要特点如下：
1. 极低的导通电阻 Rds(on)，可有效减少功率损耗，提高系统效率。
2. 高速开关能力，能够满足高频电路设计的需求。
3. 小型化封装（SOT-23），节省 PCB 空间，非常适合对空间敏感的应用。
4. 宽泛的工作温度范围，确保在极端环境下仍能稳定运行。
5. 良好的热特性和可靠性，延长了产品的使用寿命。
这些特性使得 R3111N251C-TR 成为许多功率管理应用的理想选择。
R3111N251C-TR 广泛应用于以下领域：
1. 开关电源（SMPS）中的同步整流器。
2. 直流-直流转换器（DC-DC Converter）中的开关元件。
3. 电池管理系统（BMS）中的负载开关。
4. 电机驱动和 PWM 控制电路。
5. 消费类电子产品中的保护电路，如过流保护和短路保护。
6. 工业自动化设备中的信号切换和隔离。
R3111N251C-TR 的高可靠性和高效性能使其成为各种功率管理解决方案的核心组件。
RFP15N06LE, IRLML6402TRPBF, FDS8443
