时间：2025/12/29 12:00:22
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R1W065DR是一款由Renesas（瑞萨电子）生产的功率MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），适用于高功率和高频率的应用场景。这款晶体管采用了先进的沟槽式MOSFET技术，提供了较低的导通电阻和较快的开关速度，使其在电源管理和功率转换系统中表现出色。
类型：N沟道MOSFET
漏源电压（Vds）：60V
漏极电流（Id）：100A
导通电阻（Rds(on)）：6.5mΩ
栅极电荷（Qg）：130nC
封装类型：TO-247
工作温度范围：-55°C至175°C
R1W065DR的主要特性之一是其极低的导通电阻，仅为6.5mΩ，这使得在高电流工作条件下能够显著降低功率损耗并提高整体系统效率。该器件采用了先进的沟槽式技术，优化了电场分布，从而增强了器件的可靠性和耐用性。
此外，R1W065DR的栅极电荷仅为130nC，这意味着其开关速度快，适用于高频开关应用，例如DC-DC转换器、电机控制和电源管理系统。同时，该MOSFET具有较高的热稳定性和较强的过载承受能力，能够在苛刻的工作环境下稳定运行。
R1W065DR广泛应用于各种高功率电子设备和系统中。例如，在电源管理领域，它被用于高效能的DC-DC转换器、同步整流器和负载开关。在电机控制应用中，该MOSFET可用于驱动大功率直流电机和步进电机，提供稳定的电流控制能力。
R1W065DR的替代型号包括SiHF60N60E和IRFB4110。
