时间：2025/9/26 14:36:18
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R1800K009A-TR是一款由罗姆半导体（ROHM Semiconductor）生产的N沟道功率MOSFET，采用先进的Trench栅极结构技术制造，专为高效率开关应用而设计。该器件封装在小型表面贴装封装（如DFN或SOP）中，适合空间受限的应用场合。R1800K009A-TR具有低导通电阻（RDS(on)）、优异的热性能和高可靠性，能够在高温环境下稳定运行。由于其出色的电气特性，该MOSFET广泛应用于电源管理、DC-DC转换器、负载开关、电池供电设备以及各类便携式电子产品中。此外，该器件符合RoHS环保标准，并具备良好的抗静电能力（ESD保护），提高了系统整体的耐用性和安全性。R1800K009A-TR的工作结温范围通常可达-55°C至+150°C，适用于严苛工业环境下的稳定操作。得益于ROHM在功率器件领域的深厚积累，这款产品在开关速度与功耗之间实现了良好平衡，有助于提升终端设备的能效表现。
型号：R1800K009A-TR
制造商：ROHM Semiconductor
器件类型：N沟道MOSFET
最大漏源电压（VDS）：20V
最大连续漏极电流（ID）：9.0A
导通电阻RDS(on)（max）@ VGS=4.5V：10mΩ
导通电阻RDS(on)（max）@ VGS=2.5V：13mΩ
栅极阈值电压（Vth）：0.6V ~ 1.0V
输入电容（Ciss）：典型值约750pF
工作温度范围（Tj）：-55°C ~ +150°C
封装形式：DFN1010 or equivalent small package
安装类型：表面贴装型
VGS（最大栅源电压）：±12V
功率耗散（Pd）：1.5W（Ta=25°C）
R1800K009A-TR采用了ROHM专有的Trench结构工艺，显著降低了导通电阻，从而减少了传导损耗，提升了整体能效。其低RDS(on)特性使得该器件在大电流应用场景下仍能保持较低的温升，有利于提高系统的热稳定性。
该MOSFET支持低电压驱动，可在2.5V至4.5V的栅极驱动电压下正常工作，因此兼容现代低电压逻辑控制信号，适用于由微控制器或电源管理IC直接驱动的场合。这使其非常适合用于电池供电设备中的开关电路，例如智能手机、平板电脑和可穿戴设备中的负载开关或电源路径管理。
器件的小型化封装设计不仅节省了PCB空间，还通过优化内部引线布局降低了寄生电感和电阻，进一步改善了高频开关性能。同时，该封装具备良好的散热性能，即使在紧凑布局中也能有效传递热量，延长使用寿命。
R1800K009A-TR具有优秀的开关特性，包括快速的上升时间和下降时间，能够实现高效的PWM控制，在DC-DC转换器、同步整流等高频开关电源中表现出色。其输入电容较小，减少了驱动电路所需的能量，降低了驱动损耗。
此外，该器件具备较强的抗冲击能力和可靠性测试认证，包括高温反向偏压（HTRB）、高温栅极偏压（HTGB）等可靠性验证，确保在长期运行中的稳定性。内置的体二极管也经过优化，具备较快的反向恢复特性，减少反向恢复损耗，避免因反向电流引起的效率下降问题。
R1800K009A-TR广泛应用于多种需要高效、小尺寸功率开关的电子系统中。常见用途包括便携式消费类电子产品中的电源管理模块，如智能手机和平板电脑中的电池充电管理、电源路径切换及负载开关控制。
在DC-DC降压或升压转换器中，该MOSFET常作为同步整流开关使用，利用其低导通电阻来降低能量损耗，提高转换效率，尤其适用于多相供电或高频率工作的电源架构。
工业控制领域中，该器件可用于电机驱动、传感器供电控制、LED驱动电路等低压大电流开关场景。其稳定的电气性能和宽工作温度范围使其能在恶劣环境中可靠运行。
此外，R1800K009A-TR也适用于各类物联网设备、无线耳机、智能手表等微型化电子产品中，承担电源开/关控制、热插拔保护等功能。在USB PD快充协议相关的电源管理方案中，也可作为次级侧开关元件使用。
由于其符合无铅和RoHS标准，满足现代绿色电子产品的环保要求，因此在汽车电子中的低功耗辅助系统（如车载信息娱乐系统的小信号开关）中也有潜在应用前景。
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"R1800K009B-TR",
"DMG2302U",
"AO6406",
"Si2302DS",
"FDC630N"
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