型号：DMN3112SSS-13
　　类型：N沟道MOSFET
　　封装：SOT-23 (SC-70)
　　最大漏源电压(VDS)：20V
　　最大连续漏极电流(ID)：4.4A @ 70°C
　　最大脉冲漏极电流(IDM)：17.6A
　　最大栅源电压(VGS)：±8V
　　阈值电压(VGS(th))：典型值0.85V，范围0.6V~1.2V
　　导通电阻(RDS(on))：37mΩ @ VGS=4.5V；45mΩ @ VGS=2.5V；50mΩ @ VGS=1.8V
　　输入电容(Ciss)：约290pF @ VDS=10V
　　输出电容(Coss)：约100pF @ VDS=10V
　　反向传输电容(Crss)：约45pF @ VDS=10V
　　栅极电荷(Qg)：约6.5nC @ VGS=4.5V
　　功率耗散(PD)：500mW @ TA=25°C
　　工作结温范围(TJ)：-55°C ~ +150°C
　　存储温度范围(Tstg)：-55°C ~ +150°C

DMN3112SSS-13采用先进的TrenchFET工艺技术，实现了极低的导通电阻与优异的开关性能之间的平衡，使其在低电压应用中表现出色。其关键特性之一是低阈值电压，典型值仅为0.85V，确保了在1.8V、2.5V或3.3V逻辑电平下能够可靠开启，适用于微控制器直接驱动的场合，无需额外的电平转换电路。
　　该器件在VGS=1.8V时仍可提供高达50mΩ的RDS(on)，这在同类小信号MOSFET中处于领先水平，显著降低了导通损耗，提升了整体系统效率。此外，在VGS=4.5V条件下，RDS(on)进一步降低至37mΩ，适合需要更高电流承载能力的应用。这种宽范围的栅极驱动适应性使其成为多种电源开关应用的理想选择。
　　DMN3112SSS-13的小型SOT-23封装不仅节省PCB空间，还具备良好的热性能，在适当布局下可有效散热。尽管封装尺寸小，但其最大连续漏极电流可达4.4A（在70°C时），并支持高达17.6A的脉冲电流，满足瞬态负载需求。同时，器件具有较低的栅极电荷（Qg≈6.5nC），有助于减少开关损耗，提高高频开关应用中的能效。
　　该MOSFET具备良好的抗雪崩能力和内置ESD保护，增强了在实际应用中的鲁棒性。其-55°C至+150°C的工作结温范围表明其可在极端温度环境下稳定运行，适用于工业级和汽车级应用场景。此外，所有参数均经过严格测试和筛选，确保批次一致性与长期可靠性。

DMN3112SSS-13广泛应用于各类低电压、高效率的电源管理电路中。常见用途包括便携式电子设备中的负载开关，如智能手机、平板电脑、蓝牙耳机等产品中的电源路径控制，用于接通或断开电池与子系统的连接，以实现节能待机或防止反向电流。
　　在电池供电系统中，它常被用作高端或低端开关，配合充电管理IC或DC-DC转换器使用，执行通断控制功能。例如，在USB接口电源管理中，可用于过流保护和热插拔控制，避免短路对主电源造成冲击。此外，由于其快速开关特性和低静态功耗，也适用于LED驱动电路中的开关调节，特别是在背光控制或指示灯控制中表现优异。
　　在嵌入式系统和微控制器外围电路中，DMN3112SSS-13可作为GPIO扩展驱动器，用于控制继电器、传感器模块或其他外设的供电。其低VGS(th)特性允许3.3V甚至1.8V逻辑信号直接驱动，简化了设计复杂度。
　　此外，该器件还适用于电机驱动中的H桥低端开关、DC风扇控制、热敏打印头驱动以及各种模拟开关应用。由于其小型封装和高集成度优势，也被大量用于可穿戴设备、物联网终端和智能家居模块中，满足现代电子产品对小型化和高效能的双重需求。

DMG2305UX-7
　　FDS6680A
　　AO3400A
　　SI2302DDS
　　BSS138