时间：2025/4/29 13:24:03
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R1191N050D-TR-FE 是一款由 Vishay 公司生产的高压、高频氮化镓 (GaN) 场效应晶体管 (FET)。该器件采用了先进的 GaN 技术，具有卓越的开关性能和高功率密度，适用于需要高效能和快速切换的电源应用。它专为高频 AC-DC 和 DC-DC 转换器设计，可显著提高系统效率并减少热损耗。
这款芯片采用小型表面贴装封装，便于集成到紧凑型设计中，同时具备低导通电阻和高击穿电压的特点，确保在高压环境下稳定运行。
型号：R1191N050D-TR-FE
类型：GaN FET
漏源极电压(Vds)：500V
连续漏极电流(Id)：1.8A
导通电阻(Rds(on))：190mΩ
栅极电荷(Qg)：32nC
总栅极电荷(Qgtot)：45nC
工作温度范围：-55°C 至 +150°C
封装形式：TO-Leadless (TOLL)
功耗：10W
R1191N050D-TR-FE 的主要特性包括高效的开关性能，能够显著降低开关损耗，并支持高达 2MHz 的开关频率。其低导通电阻确保了较低的传导损耗，从而提高了整体系统的效率。此外，该器件还具备出色的热稳定性，在高温环境下也能保持稳定的电气性能。得益于 GaN 材料的优异性能，R1191N050D-TR-FE 在体积更小的情况下提供了更高的功率密度，非常适合空间受限的应用场景。
R1191N050D-TR-FE 还具有内置保护功能，如过流保护和短路保护，进一步增强了系统的可靠性。其符合 RoHS 标准，适合环保要求严格的现代电子设备制造环境。总体而言，R1191N050D-TR-FE 是一种高性能、可靠且易于使用的 GaN 器件，适用于各种高要求的应用领域。
R1191N050D-TR-FE 主要应用于高频 AC-DC 和 DC-DC 转换器、服务器电源、通信电源、工业电源、不间断电源(UPS)、太阳能逆变器以及电动车辆中的车载充电器等。由于其高效率和高功率密度，这款 GaN FET 特别适合那些需要在有限空间内实现高效能量转换的设计。此外，它还可用于电机驱动器、无线充电系统和其他需要快速开关和低损耗的场合。
R1190N050D-TR-FE
R1200N050D-TR-FE
