时间：2025/8/6 1:09:44
阅读：20
IXFQ90N20X3 是一款由 IXYS 公司制造的高性能 N 沟道功率 MOSFET。该器件专为高效率电源转换和功率管理应用而设计，具有低导通电阻、高耐压能力和快速开关特性。该 MOSFET 采用 TO-263 封装，适用于表面贴装工艺，便于在高功率密度电路中使用。
类型：N 沟道
漏源电压 (VDS)：200 V
栅源电压 (VGS)：±30 V
连续漏极电流 (ID)：90 A
导通电阻 (RDS(on))：典型值 7.5 mΩ，最大值 9.5 mΩ
功耗 (PD)：400 W
工作温度范围：-55°C 至 +175°C
封装类型：TO-263
IXFQ90N20X3 的核心特性包括极低的导通电阻（RDS(on)），这有助于减少导通损耗并提高系统效率。其高耐压能力（200V）使其适用于多种高压电源应用。该器件还具备快速开关速度，从而减少了开关损耗，适用于高频开关应用。此外，该 MOSFET具有较高的热稳定性和耐用性，能够在恶劣的环境条件下稳定工作。其封装设计有利于良好的散热性能，支持高功率操作。
该器件采用了先进的沟槽栅极技术，提供更高的电流密度和更佳的热性能。这种技术还能有效减少开关过程中的能量损失，提高整体系统效率。IXFQ90N20X3 还具有较低的栅极电荷（Qg），有助于减少驱动电路的功耗。同时，其低反向恢复电荷（Qrr）可减少在同步整流和电机控制等应用中的能量损失。该器件还具备良好的雪崩能量耐受能力，增强了在高能脉冲条件下的可靠性。
IXFQ90N20X3 通常用于高功率 DC-DC 转换器、电动车辆（EV）充电系统、工业电机驱动、太阳能逆变器以及不间断电源（UPS）系统。它也适用于需要高效能和高可靠性的电源管理模块，如服务器电源、电信设备电源和功率因数校正（PFC）电路。此外，该 MOSFET还可用于高频率的开关电源（SMPS）设计中，以实现更小的磁性元件和更高的功率密度。
IXFN90N20X3, IXFR90N20X3
