型号：R1191H090D-T1-FE
　　制造商：Nisshinbo Micro Devices Inc.
　　产品系列：R1191
　　封装类型：DFN(PLP)1010-4
　　引脚数：4
　　输出电压：0.9V（固定）
　　输出电压精度：±2%
　　最大输出电流：300mA
　　输入电压范围：1.3V 至 5.5V
　　静态电流：典型值 0.6μA（待机模式）
　　关断电流：最大 0.1μA
　　压差电压：180mV @ 300mA（典型值）
　　工作温度范围：-40°C 至 +125°C
　　保护功能：过流保护、热关断
　　启动时间：典型值 1.0ms
　　PSRR（电源纹波抑制比）：70dB @ 1kHz
　　调节类型：固定输出
　　安装方式：表面贴装
　　湿度敏感等级：MSL 1

R1191H090D-T1-FE具备多项先进特性，使其在低功耗和高性能电源管理领域表现出色。首先，其超低静态电流（典型值0.6μA）显著延长了电池供电设备的工作寿命，尤其适用于需要长期待机的物联网节点和无线传感器网络。该LDO在轻载和重载条件下均能保持高效率，得益于其内部优化的CMOS结构设计，避免了传统双极型晶体管带来的较大静态损耗。其次，该器件拥有出色的电源纹波抑制能力，在1kHz频率下可达70dB，有效滤除来自上游电源（如开关电源或噪声较大的电池系统）的高频干扰，为敏感模拟电路或射频模块提供干净的电源轨。
　　另一个关键特性是其快速启动能力，典型启动时间为1.0ms，确保系统在唤醒后能迅速进入稳定工作状态，减少延迟。同时，R1191H090D-T1-FE支持外部使能（EN）控制，允许系统微控制器按需开启或关闭LDO输出，实现精细化的电源管理策略，进一步降低整体功耗。该芯片还具备良好的负载调整率和线路调整率，即使在输入电压波动或负载电流突变的情况下，也能维持输出电压的稳定性，保障下游电路的可靠运行。
　　热关断和过流保护机制提升了系统的安全性。当输出短路或过载时，内部电路自动限制电流并切断输出，防止器件损坏；当结温超过安全阈值时，热关断功能将关闭LDO，待温度下降后自动恢复，增强了产品的鲁棒性。DFN(PLP)1010-4封装不仅节省PCB空间，还具备良好的散热性能，有助于在高密度布局中维持稳定工作。此外，该器件符合RoHS环保标准，无铅且不含卤素，适用于对环保要求严格的消费类电子产品。

R1191H090D-T1-FE广泛应用于各类对电源效率和空间布局有严格要求的便携式与低功耗电子设备中。在可穿戴设备领域，如智能手表、健康监测手环和听力辅助设备中，该LDO为低电压微控制器、生物传感器和无线通信模块（如蓝牙BLE）提供稳定、低噪声的0.9V电源，同时最大限度地延长电池续航时间。在物联网（IoT）终端设备中，例如环境传感器节点、智能家居控制器和远程监控装置，其超低静态电流特性使得设备可在电池供电下运行数月甚至数年，非常适合部署在难以频繁更换电池的场景。
　　该器件也适用于移动电子产品的辅助电源管理，如智能手机和平板电脑中的传感器域供电、摄像头模组的低电压逻辑部分，以及近场通信（NFC）模块的电源调节。在工业自动化和医疗电子设备中，R1191H090D-T1-FE可用于为精密传感器信号调理电路、低功耗MCU和数据采集系统提供高稳定性的电源，确保测量精度和系统可靠性。此外，由于其宽输入电压范围，该LDO可兼容多种电池类型，包括单节锂离子/锂聚合物电池、两节串联的碱性或镍氢电池，因此在便携式仪器仪表、无线标签和RFID读写器中也有广泛应用。其小型化封装特别适合高密度印刷电路板设计，满足现代电子产品向轻薄化发展的趋势。