型号：R1180N301C-TR-FE
　　制造商：Ricoh（理光）
　　产品系列：R1180N
　　输出电压：3.0V（固定）
　　输出电压精度：±1%
　　最大输出电流：300mA
　　压差电压：180mV@300mA（典型值）
　　静态电流：60μA（典型值）
　　关断电流：0.1μA（最大值）
　　输入电压范围：2.0V～6.0V
　　工作温度范围：-40°C～+85°C
　　封装形式：DFN(PLP) 1.2×1.2mm
　　引脚数：4
　　保护功能：过流保护、过热保护
　　输出电容要求：≥1.0μF（陶瓷电容）
　　调节类型：固定输出
　　稳定性：稳定，支持陶瓷电容输出
　　PSRR（电源抑制比）：70dB@1kHz（典型值）

R1180N301C-TR-FE具备多项优异的电气和物理特性，使其在众多LDO产品中脱颖而出。首先，其高输出精度（±1%）确保了在各种负载和温度条件下输出电压的稳定性，这对于需要精确供电的ADC、DAC或精密放大器等模拟电路至关重要。其次，该器件在满载300mA输出时仅需180mV的压差电压，意味着即使输入电压接近3.2V，也能维持3.0V的稳定输出，极大地提升了电池使用效率，在电池电量下降时仍能延长设备运行时间。
　　该LDO采用CMOS工艺设计，实现了极低的静态电流消耗，典型值仅为60μA，显著优于传统双极型LDO。这一特性使其非常适合用于长时间待机或间歇工作的物联网终端、可穿戴设备和无线传感器节点等应用。此外，在关断模式下，电流消耗可降至0.1μA以下，几乎不消耗电能，进一步增强了节能效果。
　　在动态性能方面，R1180N301C-TR-FE表现出色。其在1kHz频率下的电源抑制比（PSRR）可达70dB，能够有效抑制来自输入端的纹波和噪声，为敏感电路提供“干净”的电源。这对于射频通信模块、音频处理单元或高分辨率数据采集系统尤为重要。同时，器件对输出电容的ESR要求宽松，支持使用低成本、小尺寸的陶瓷电容（最小1μF），简化了外围电路设计，减少了占板面积。
　　封装方面，该芯片采用1.2×1.2mm的DFN(PLP)微型封装，不仅节省空间，还具备良好的热传导性能，有助于在高负载条件下有效散热。内部集成的过流保护和过热保护电路可在输出短路或环境温度过高时自动切断输出，避免永久性损坏，提高了系统的安全性和可靠性。总体而言，R1180N301C-TR-FE凭借其高精度、低功耗、小尺寸和高可靠性，成为现代低功耗电子产品中理想的电源管理解决方案。

R1180N301C-TR-FE广泛应用于各类对电源质量、功耗和空间有严格要求的电子设备中。常见应用场景包括便携式消费类电子产品，如智能手表、蓝牙耳机、TWS耳机、智能手环等可穿戴设备，这些设备依赖电池供电，要求电源管理器件具备极低的静态电流和高转换效率，以延长续航时间。此外，该LDO也常用于智能手机中的辅助电源轨，为传感器模块（如加速度计、陀螺仪、环境光传感器）提供稳定电压。
　　在工业自动化和物联网领域，R1180N301C-TR-FE被用于无线传感节点、RFID标签、Zigbee/Wi-Fi/LoRa通信模块等，为微控制器单元（MCU）、射频收发器和低功耗传感器供电。其高PSRR和低噪声特性有助于减少电源干扰，提升无线信号质量和数据传输稳定性。
　　医疗电子设备，如便携式血糖仪、体温计、心率监测仪等，也广泛采用此类高精度LDO，确保测量结果的准确性和系统运行的可靠性。此外，在汽车电子中的车载信息娱乐系统、远程无钥匙进入模块、胎压监测系统（TPMS）中，该器件也能满足宽温工作和高可靠性的需求。
　　由于其小型化封装和无需大型外围元件的特点，R1180N301C-TR-FE特别适合高密度PCB设计，可用于模块化电源方案、FPGA辅助电源、DDR内存参考电压源等场合。总之，凡是需要稳定、低噪声、低功耗电源的场合，该LDO都是一个极具竞争力的选择。

XC6206P302MR-G
　　XC6502PB30MR
　　RT9193-30GB
　　ME6211C30M5G-N