时间：2025/9/26 12:56:55
阅读：11
R1172N181D-TR-FE是一款由理光（Ricoh）公司生产的高性能低压差线性稳压器（LDO），广泛应用于需要稳定电压输出的便携式电子设备中。该器件采用先进的CMOS工艺制造，具备低功耗、高精度和出色的瞬态响应特性。其固定输出电压为1.8V，非常适合为微处理器、传感器、存储器以及其他对电源噪声敏感的电路提供干净稳定的电源。该LDO的最大输入电压可达5.5V，能够在较宽的输入电压范围内正常工作，适应性强。R1172N181D-TR-FE封装形式为DFN(PLP2218-6)小尺寸封装，具有良好的热性能和空间利用率，适用于对体积要求严格的便携式产品设计，如智能手机、可穿戴设备、物联网终端等。
R1172N181D-TR-FE内置过热保护和过流保护功能，增强了系统的可靠性与安全性。此外，该芯片支持使能控制功能，允许用户通过外部信号关闭或启动稳压器，从而实现功耗管理，延长电池寿命。其低静态电流特性（典型值约为30μA）使其在待机或轻载状态下依然保持高效能表现。整体而言，这款LDO在稳定性、效率和集成度方面表现出色，是现代低功耗电子产品中的理想电源管理解决方案之一。
型号：R1172N181D-TR-FE
制造商：Ricoh（理光）
产品类型：低压差线性稳压器（LDO）
输出电压：1.8V（固定）
输出电压精度：±2%
最大输入电压：5.5V
压差电压：300mV@300mA
最大输出电流：300mA
静态电流：30μA（典型值）
关断电流：0.1μA（典型值）
工作温度范围：-40°C ~ +85°C
封装类型：DFN(PLP2218-6)
引脚数：6
是否带使能功能：是
是否带反向电流保护：是
输出电容要求：陶瓷电容，≥1.0μF
R1172N181D-TR-FE具备多项优异的技术特性，使其在同类LDO产品中脱颖而出。首先，其采用CMOS工艺制造，显著降低了静态电流消耗，在常温下典型值仅为30μA，极大提升了电池供电设备的续航能力。同时，在关断模式下，电流消耗可低至0.1μA，几乎可以忽略不计，这对于需要长时间待机的应用场景尤为重要，例如智能手表、无线传感器节点等。
其次，该器件具有出色的负载调整率和线路调整率，确保在输入电压波动或负载变化时仍能维持稳定的1.8V输出电压，精度控制在±2%以内。这种高稳定性得益于内部精密的误差放大器和反馈网络设计，并结合了良好的频率补偿机制，避免振荡现象的发生。
再者，R1172N181D-TR-FE支持外部使能（EN）控制功能，允许系统主控单元灵活地开启或关闭LDO输出，实现动态电源管理策略。当EN引脚拉低时，器件进入关断状态，不仅切断输出，还防止从输出端向输入端的反向电流流动，有效保护上游电源路径。
该LDO仅需一个小型陶瓷输出电容（最小1.0μF）即可保持环路稳定，无需额外的ESR电阻，简化了外围电路设计，减小了PCB占用面积。配合DFN小尺寸封装，特别适合高密度布局的便携式电子产品。
此外，芯片集成了多重保护机制，包括过热关断（Thermal Shutdown）和过流限制（Over-Current Protection），在异常工况下自动降低功耗或关闭输出，防止器件损坏，提升系统整体可靠性。这些特性共同构成了R1172N181D-TR-FE在性能、安全性和易用性方面的综合优势。
R1172N181D-TR-FE广泛应用于各类低功耗、高可靠性的电子系统中。典型应用场景包括便携式消费类电子产品，如智能手机、平板电脑、TWS耳机和智能手环等，用于为基带处理器、传感器模块或射频前端提供稳定的1.8V偏置电压。由于其低噪声和高PSRR（电源抑制比）特性，也适用于音频编解码器、摄像头模组等对电源纯净度要求较高的模拟电路供电。
在物联网（IoT）设备中，如无线传感器节点、智能家居控制器和RFID读写器，该LDO能够有效延长电池使用寿命，同时保证无线通信模块（如蓝牙、ZigBee、Wi-Fi）在间歇工作模式下的快速启动和稳定运行。
此外，它还可用于工业控制领域的低功耗微控制器（MCU）供电方案，尤其是在空间受限且需长期运行的嵌入式系统中。医疗电子设备，如便携式监护仪、血糖仪等，也常采用此类高精度、低漏电的LDO来满足安全与稳定性要求。
得益于其小型化封装和无铅环保设计，R1172N181D-TR-FE符合现代电子产品对绿色制造和高集成度的需求，适用于自动化贴片生产工艺，便于大规模量产。无论是在研发阶段还是批量出货环节，都能提供一致可靠的性能表现。
XC6223B18MR-G
TPS73118DBVR
MIC5205-1.8YM5-TR
