您好,欢迎来到维库电子市场网 登录 | 免费注册

您所在的位置:电子元器件采购网 > IC百科 > R1163K501D

R1163K501D 发布时间 时间:2025/12/28 5:20:53 查看 阅读:10

R1163K501D是一款由理光(Ricoh)公司生产的高精度、低功耗的电压稳压器(LDO),广泛应用于需要稳定电源供应的便携式电子设备中。该器件属于R1163系列,专为电池供电系统设计,具有超低静态电流和快速瞬态响应的特点,能够在输入电压波动或负载变化时保持输出电压的高度稳定。R1163K501D采用小型封装形式,适合对空间要求严苛的应用场景,如智能手机、可穿戴设备、物联网终端以及各种嵌入式系统。
  R1163K501D的标称输出电压为5.0V,出厂时已通过激光修调技术进行精确设定,确保了极高的输出电压精度,通常在±1%以内。该芯片内置过流保护和热关断功能,能够在异常工作条件下自动限制电流或关闭输出,从而有效保护后级电路不受损坏。此外,其内部集成的低导通电阻PMOS晶体管使得即使在较大负载电流下也能保持较低的压差,提高了整体能效。
  这款LDO支持宽范围输入电压操作,最大输入电压可达7.0V,适用于多种电源架构。由于其出色的噪声抑制能力和高电源抑制比(PSRR),R1163K501D也常被用于对电源纯净度要求较高的模拟电路或射频模块供电。整个系列采用无铅环保材料制造,并符合RoHS指令要求,适合现代绿色电子产品设计需求。

参数

型号:R1163K501D
  制造商:Ricoh(理光)
  产品类型:低压差线性稳压器(LDO)
  输出电压:5.0V(固定)
  输出电压精度:±1%(Ta=25°C)
  最大输出电流:300mA
  压差电压:Typ. 180mV @ Iout=100mA
  静态电流:Typ. 2.0μA
  关机电流:Typ. 0.1μA
  输入电压范围:2.0V ~ 7.0V
  工作温度范围:-40°C ~ +85°C
  封装形式:DFN(PLP)1010-4 或 SOT-23-5
  保护功能:过流保护、热关断
  PSRR:Typ. 70dB @ 1kHz
  稳定性要求电容:陶瓷电容(最小1.0μF)

特性

R1163K501D具备多项优异的技术特性,使其成为高性能电源管理方案中的理想选择。首先,其超低静态电流(典型值仅为2.0μA)极大地延长了电池供电设备的待机时间,特别适用于长期运行且对能耗敏感的应用场景,例如无线传感器网络节点和智能手表等。这种低功耗特性得益于先进的CMOS工艺和优化的内部电路设计,在保证性能的同时最大限度地减少了不必要的能量损耗。
  其次,该LDO具有出色的动态响应能力,能够迅速应对负载电流的突变,维持输出电压的稳定性。这归功于其内部采用的高速误差放大器和低ESR输出电容兼容性设计,允许使用小型陶瓷电容器来实现稳定的环路控制,从而减小整体解决方案尺寸并降低成本。同时,高达70dB的电源抑制比(PSRR)确保了即使输入电源存在纹波或噪声干扰,输出端仍能提供干净、平稳的直流电压,这对于ADC参考源、PLL电源轨或音频放大器等敏感电路至关重要。
  再者,R1163K501D集成了多重保护机制,包括过电流保护和热关断功能。当输出短路或过载时,芯片会自动限制输出电流以防止损坏;若芯片温度因长时间过载而超过安全阈值(通常为150°C左右),热关断电路将立即切断输出,直到温度下降至恢复正常水平才重新启动,从而提升了系统的可靠性与安全性。
  最后,该器件支持使能(Enable)功能,可通过外部信号控制LDO的开启与关闭,便于实现电源序列控制或多模式节能策略。配合小于0.1μA的关机电流,用户可在设备休眠或关机状态下几乎完全切断该稳压器的功耗,进一步优化系统能效。这些综合特性使R1163K501D在工业、消费类及通信领域均表现出卓越的适应性和稳定性。

应用

R1163K501D因其高精度、低功耗和小尺寸特性,广泛应用于各类对电源质量要求较高的便携式和嵌入式电子设备中。典型应用场景包括智能手机和平板电脑中的辅助电源轨供电,尤其是为实时时钟(RTC)、传感器模块或低功耗微控制器提供稳定的工作电压。在物联网(IoT)设备中,如无线传感器节点、智能家居终端和远程监控装置,该LDO可用于电池到核心处理器之间的稳压环节,确保在电池电压逐渐下降的过程中依然维持恒定的5.0V输出,保障系统持续可靠运行。
  此外,R1163K501D也常用于可穿戴设备,如智能手环、健康监测仪和电子标签等,这些设备通常依赖纽扣电池或小型锂离子电池供电,因此对电源转换效率和静态功耗极为敏感。该芯片的微安级静态电流显著延长了设备续航时间,同时其快速负载响应能力可满足突发数据采集或无线传输时的瞬态功率需求。
  在工业自动化领域,R1163K501D可用于为精密测量仪器、数据采集系统和PLC模块中的模拟前端供电,利用其高PSRR特性抑制来自主电源的噪声干扰,提高信号链的信噪比和测量精度。同时,在通信模块如Wi-Fi、蓝牙或LoRa收发器中,该LDO可为射频IC提供干净的偏置电压,减少相位噪声和误码率,提升通信稳定性。
  由于其采用DFN或SOT-23等小型封装,非常适合高密度PCB布局,尤其适用于空间受限的模块化设计。结合其宽输入电压范围和良好的温度稳定性,R1163K501D也成为汽车电子中非关键子系统的理想选择,例如车载信息娱乐系统的外围电路或ECU中的待机电源管理部分。

替代型号

R1163N501A-TR-FE
  XC6223B501MR-G
  TPS78350DDCR
  MIC5205-5.0YM5-TR
  LP2985-5.0/NOPB

R1163K501D推荐供应商 更多>

  • 产品型号
  • 供应商
  • 数量
  • 厂商
  • 封装/批号
  • 询价