时间：2025/7/9 11:53:00
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R1160N181B-TR 是一款基于氮化镓 (GaN) 技术的高电子迁移率晶体管 (HEMT)，专为高频、高效能应用而设计。该器件采用先进的封装技术，能够满足射频和功率放大器领域对高性能和小尺寸的需求。
这款 GaN HEMT 在微波通信、雷达系统、卫星通信以及测试设备等高频应用场景中表现出色。其卓越的电气性能和可靠性使其成为替代传统硅基器件的理想选择。
型号：R1160N181B-TR
类型：GaN HEMT
工作频率范围：DC 至 18 GHz
增益：16 dB（典型值）
饱和输出功率：35 W（典型值）
漏极效率：60%（典型值）
输入匹配阻抗：50 Ω
输出匹配阻抗：50 Ω
最大漏源电压：100 V
最大栅源电压：+4 V / -8 V
封装形式：陶瓷气密封装
R1160N181B-TR 的主要特点是其采用了氮化镓半导体材料，这种材料具有宽禁带、高击穿电场、高电子迁移率和高热导率的优点，从而使得器件能够在高频和高功率条件下稳定运行。
此外，该芯片具备以下特性：
- 高增益和高线性度，适合多种通信协议的应用。
- 极低的寄生电容和电阻，有助于实现更优的射频性能。
- 良好的热管理和散热能力，确保在高负载下的长期稳定性。
- 内部保护电路的设计增强了器件的耐用性和鲁棒性。
总体而言，R1160N181B-TR 是一款兼顾高性能与可靠性的氮化镓功率放大器产品。
R1160N181B-TR 广泛应用于需要高频率、高效率和高功率密度的场景，包括：
- 微波通信系统中的功率放大器模块。
- 军事和民用雷达系统的发射机部分。
- 卫星通信地面站的上行链路放大器。
- 高端测试与测量设备中的信号源或驱动放大器。
- 无线基础设施中的基站功率放大器。
由于其出色的射频性能，该器件还可用于新兴领域的研究和开发，例如 5G 和 6G 通信技术、毫米波通信以及物联网相关的高频设备。
R1160N181A-TR, R1160N181C-TR
